[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 从整个半导体制造工艺到新员工培训资料，尖端技术外泄的范围正在扩大，但技术保护方面仍存在盲区。特别是，尽管部分韩国半导体企业的高管和员工在跳槽至中国企业时，将公司商业秘密作为自己的“身价”加以利用的情况屡见不鲜，但他们却屡屡被判无罪。

这是因为法院依据政府公告规定等标准，对受保护技术进行严格判定。未被列入公告的技术可能无法获得保护，从而错失黄金时机。即便是列入公告的技术，有时法庭也不将其视为尖端技术。

尽管产业部认为“确属尖端技术”……法院仍判“无罪”

据《每日经济》2日分析的SK海力士图像传感器（CIS）技术泄露案和三星电子DRAM工艺技术泄露案的判决书显示，即使技术包含在公告中，但若与工艺没有直接关联，法院仍会判定泄露行为无罪。业界指出，即使已被认定为尖端核心技术，若未被列入公告，法院仍会作出无罪判决。

根据现行法律，要以工业技术泄露罪进行处罚，被泄露的技术必须是对国家安全和国民经济产生重大影响的高端技术或国家核心技术，或者属于商业秘密。高端技术、国家核心技术的指定及解除由产业通商资源部定期审查并公告。从委员会审查到公告大约需要半年时间。

SK海力士前员工A某因被认定涉嫌违反《产业技术保护法》、《反不正当竞争法》等罪名，于上月13日被最终判处有期徒刑1年6个月。 曾在SK海力士中国当地子公司负责CIS工艺相关客户支持（CS）工作的他，于2022年在准备跳槽至华为子公司海思半导体时，打印了186页商业秘密资料并拍摄了5900张照片带出公司。这些资料被用于撰写简历和应聘。尽管他泄露了部分资料却未能成功就业，随后在向另一家中国企业应聘时，他又再次利用了这些资料。

一审法院指出：“若对技术信息流向海外竞争对手的行为轻描淡写，将给企业造成巨大损失并导致国家竞争力削弱，因此必须予以严惩”，但在量刑时也考虑到了相关信息并未直接涉及CIS制造这一事实。 特别是针对泄露资料中的“混合键合”技术，虽然产业部认为“属于尖端技术”，但法院以“依据不足”为由，判定该技术泄露行为无罪。法院认为，虽然资料外带行为本身极具可责性，但该技术是否属于公告规定的保护对象尚不明确。

混合键合技术是在粘合半导体芯片时省去“凸点”，使芯片表面直接连接的技术，是应用于下一代高带宽内存（HBM）的核心技术。业内将其视为面向HBM 16层以上高堆叠时代的下一代核心封装技术。

业界称“也在探讨如何在公告发布前缩小技术空白”

三星电子的案件也是如此。在三星工作了21年的B先生于2016年跳槽至中国创新存储科技（CXMT），负责统筹DRAM的开发工作。 入职仅一个月，他就启动了17~18纳米“DRAM开发项目”，并招揽了来自三星半导体8大工艺流程的工程师。这些人采用将工艺信息抄写到笔记本上并带出公司的手段。其中包含615个工艺步骤的顺序、设备型号，甚至包括三星电子为隐瞒物质成分而随意使用的物质名称。

因涉嫌违反《产业技术保护法》等罪名被移送法庭的B某，最终被判处有期徒刑6年4个月、罚款2亿韩元。此次DRAM技术外泄案涉及多名被告，另一名核心研究员C某在一审中被判处有期徒刑7年。

不过，B的一审法庭也认为，在泄露资料中，原子层沉积（ALD）设备相关的技术信息难以被视为《产业技术保护法》所规定的“尖端技术”，因此判定该部分无罪。 此外，尽管产业部的公告中已将ALD设备技术指定为尖端技术，但法院认为，构成该设备的所有零部件及图纸并不均属于保护对象。审判庭表示：“若将实现该技术及产品所需的所有技术均视为尖端技术，则处罚范围可能会无限扩大。”

法院之所以如此严格地审查技术是否属于受保护对象，是基于“只能对法律明确规定为犯罪的行为进行处罚”的罪刑法定原则。问题在于，法院从未向政府机构要求过进一步的说明。专家们担心，在此情况下，何为“尖端技术”可能取决于个别审判庭的解释。围绕技术是否受保护，法庭上的争论可能会反复出现。

业界也有呼声认为，应完善制度，使日新月异的技术能够迅速作为法律保护对象纳入法律框架。 仁荷大学特任教授李圭福（前半导体工程学会会长）指出：“核心尖端技术是基于相关部门和业界的意见，经产业技术保护委员会审议和决议后定期选定的。”他补充道：“不过，即使委员会通过决议，在该技术正式公布之前仍存在时间差，因此需要思考如何在此期间避免法律空白，并确保新技术能够得到保护。”