[E-DailyKIM JUNG YOU 记者] 随着中国代工企业迅速扩大产能，有预测称未来10年内尖端半导体短缺现象将大幅缓解。近期完成首次公开募股（IPO）的创新存储（CXMT）也被预测，将在两年内实现中国DRAM需求50%的自给自足。

24日（当地时间），香港《南华早报》（SCMP）援引美国投行高盛的报告称，预计到2035年，中国境内采用7纳米（nm）及以下工艺制造的晶圆供应量将以年均46%的速度增长。这一数字远高于中国国内此前预期的17%需求增长率。

据此，高盛预测，中国国内高端半导体供需缺口比例将从2025年的92%缩小至2035年的34%。这一预测基于2035年预计月需求量为61.9万片，而同年中国高端工艺晶圆供应量预计将增至41万片。

预计这种供应扩张将由中国最大的代工厂中芯国际（SMIC）的积极扩产和良率提升所推动。 根据高盛的预测模型，中芯国际从今年起至2031年，每年将新增3万至5万片的先进工艺晶圆月产能；预计到2035年，每年将新增2万片的月产能。良率预计也将从今年的23%上升至2030年的50%，并于2035年达到75%。

此前，自2018年起开始量产7纳米半导体的全球第一大代工厂——台湾台积电（TSMC），其良率根据芯片设计等因素，有时甚至会超过90%。此后，尽管面临美国的出口管制，中芯国际仍于2023年成功生产了面向华为的7纳米芯片。中国政府不仅持续支持先进工艺，也持续支持传统（成熟）工艺设备的扩建。

高盛分析称，近期通过IPO筹集了大量资金的CXMT，到2028年有望满足中国DRAM需求的50%以及高带宽内存（HBM）需求的40%。SamsungElectronics(005930)·SK hynix(000660) 等企业展开了猛烈追击。不过，高盛认为CXMT与三星电子、SK海力士等企业之间仍存在约2至3代的技术差距。

据高盛称，中国半导体自给率（以产量为基准）已从2010年1月的38%上升至今年6月的约70%。中国国内此类设备扩容预计将再次掀起当地半导体投资热潮。高盛预计，到2030年，中国的半导体设备投资将保持每年两位数的增长率。

中国国内的半导体投资热潮也为本土设备厂商开辟了广阔的市场。高盛预测，中国晶圆设备市场规模明年将达到530亿美元，本土设备市场份额也将从去年的26%上升至2028年的38%。

但同时也存在弱点。就光刻设备而言，其仍被视为中国设备生态系统中的薄弱环节。中国在深紫外（DUV）光刻设备方面仍主要依赖荷兰ASML公司。部分机型因受美国出口管制而受到限制，而作为尖端设备之一的极紫外（EUV）光刻设备的引进则已被全面封锁。

有分析指出，被视为中国国产尖端光刻设备开发希望的国有企业上海微电子（SMEE），目前仍未能缩小与全球企业的技术差距。