[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 随着通用DRAM价格飙升，其盈利能力已被高带宽内存（HBM）反超，预计明年HBM价格将出现更大涨幅。业界预测，三星电子和SK海力士的HBM价格可能飙升至今年水平的两倍以上。

据市场调研机构Counterpoint Research 2日报道，预计目前每1千兆比特（Gb）约2美元的HBM4单价，明年将升至4美元。换算成1千兆字节（GB）后，价格将从16美元升至32美元，涨幅达一倍。 市场调研机构TrendForce也预测，明年HBM的整体平均售价将比今年上涨121%。

目前，通用DRAM价格近期急剧上涨，已超过HBM的盈利水平。据市场调研机构DRAMeXchange数据显示，上月30日，PC用DDR4 8Gb产品的平均固定交易价格为27.5美元，接近去年同期（7美元）的4倍。按存储容量换算，即每1GB为27.5美元。 今年9月，服务器用DDR5 64GB内存条的平均售价也达到1515美元，相当于每1GB约23.67美元。

实际上，三星电子在今年4月的第一季度财报电话会议上解释道：“通用DRAM的盈利能力确实高于HBM”，并表示：“HBM是按年进行价格谈判，而通用DRAM则是按季度谈判，因此出现了因价格上涨导致的盈利能力逆转。”这意味着今年销售的HBM未能充分反映价格上涨带来的收益。

不过，预计明年随着HBM价格上涨，盈利差距将再次缩小。三星电子和SK海力士在最近的第三季度财报电话会议上表示，已完成明年HBM供应量和价格的谈判。三星电子强调已锁定目标价格水平，而SK海力士则表示已将HBM4提升的产品价值反映在价格中。

特别是明年，HBM4有望成为两家公司的主力产品。三星电子表示，第三季度HBM4销售额较上一季度增长了3倍以上，占HBM总销售额的60%。SK海力士也预测，从第四季度开始，HBM4的出货量和销售额占比都将超过现有的主力产品HBM3E。

受此影响，市场对存储行业业绩改善的预期也在增强。随着向HBM4的转型、供应价格上涨以及通用DRAM价格走强等因素叠加，预计两家公司的高盈利态势将在明年延续。今年第三季度，三星电子半导体（DS）部门的营业利润率约为72%，SK海力士则达到约80%。