[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 中国最大的DRAM厂商创信存储（CXMT）今年第三季度营收同比激增600%以上，受益于人工智能（AI）驱动的内存市场繁荣。 这是由于三星电子和SK海力士将生产能力集中于高带宽内存（HBM）等高附加值产品，导致通用DRAM供应短缺加剧所致。创信内存正以业绩改善为契机，加大研发（R&D）投入，推进长期供货合同，着力缩小与韩国企业的竞争力差距。

据2日业界消息，CXMT今年第三季度营收达1187.1亿元（约合24万亿韩元），同比增长613.2%。 净利润达544亿元（约合11万亿韩元），实现扭亏为盈，毛利率达到89.53%。这被解读为因人工智能数据中心投资扩大，三星电子、SK海力士、美光等企业扩大HBM生产，导致通用DRAM供应短缺而带来的间接受益。内存价格上涨和销量扩大也为业绩改善提供了支撑。

值得注意的是，CXMT正将此次行业繁荣作为增强技术竞争力、确保稳定需求的契机。CXMT第三季度的研发投入达42.12亿元（约合8500亿韩元），同比增长53.8%。 今年1至3季度累计投资额也达到110.71亿元，增长了73%。在与国内企业仍存在技术差距的情况下，此举被解读为通过扩大研发投资，以加速进军下一代存储器市场。

CXMT近期已完成采用垂直通道4F²结构的第六代DRAM工艺工程样品验证。计划于年底向客户供应服务器用DDR5 RDIMM原型产品。 该公司还已启动低功耗DRAM——LPDDR6的量产，并正在推进HBM3E的小规模生产。不过，据称HBM3E的良率仅为20%至30%，在尖端存储器领域，与三星电子和SK海力士相比，技术差距依然存在。

在推进技术开发的同时，该公司也着手确保长期销售渠道。CXMT于今年6月与中国腾讯签署了金额超过200亿元（约合4万亿韩元）的多年期DRAM供货合同。在上月30日的业绩说明会上，该公司表示正在与多家主要客户商讨追加长期供货合同。 CXMT方面解释称：“目前正与多家主要客户商讨长期供货合同，计划借此在中长期内确保稳定的需求。”这被解读为在存储器价格波动剧烈的市场中，通过锁定长期需求来稳定投资基础的战略。

三星电子和SK海力士同样通过强化以HBM4等高附加值产品为中心的生产战略，正从通用DRAM价格上涨中获益。虽然短期内CXMT难以在尖端存储器领域缩小与韩国企业的差距，但如果能在通用DRAM市场扩大产能和客户基础，未来可能会对价格竞争产生影响。

一位业内人士表示：“虽然目前三星电子和SK海力士也受益于通用DRAM价格上涨，但必须关注的是，CXMT正在将繁荣期积累的资金投入到技术研发和客户拓展中。”他还指出：“从中长期来看，如果中国企业的产能扩大，通用DRAM市场的竞争可能会更加激烈。”