[E-DailySOYEON KIM 记者] 过去，大规模扩大设备投资往往导致供应过剩，这一内存行业的定律如今正面临动摇。 这是因为随着人工智能（AI）需求的爆发，从供应端来看，制约产量的因素正在增强。由于下一代高带宽内存（HBM）技术日趋成熟，同一片晶圆上可生产的内存数量减少，加之获取最尖端设备所需的时间也在延长。业界有观点认为，内存行业的繁荣与萧条周期实际上已经消失。

据2日业界消息，三星电子和SK海力士今年的设施投资规模合计约达120兆韩元。三星电子半导体（DS）部门今年将投入76.8兆韩元，较去年（47.4764兆韩元）增长62%。据悉，SK海力士的投资规模将从去年的30.173兆韩元扩大至今年的40兆韩元后半段。

三星电子和SK海力士内部认为，大规模扩产并不一定会立即转化为供应增加。三星电子预计供需紧张的局面将持续至2028年，而SK海力士则预计将持续至2030年。

内存供应的制约与主力产品的变化直接相关。与过去所谓“批量生产”的通用产品不同，随着高度复杂的HBM登上舞台，技术上的制约也随之加大。随着新一代HBM4E、HBM5的推出，半导体芯片（Die）的面积不断增大，金属布线层也随之增加，导致在相同产能下能生产的内存数量反而减少。 据美国美光公司称，生产同等容量的HBM3E所需晶圆数量约为生产同等容量DDR5的3倍。美光预计，HBM4E所需晶圆数量将超过4倍。这种结构意味着，随着高附加值HBM产量的增加，可用于生产普通DRAM的晶圆数量将相对减少。

此外，据悉，仅以目前的主力产品HBM3E 12层产品为例，其良率也仅在50%左右。这与良率远超80%的通用DRAM存在巨大差距。这意味着供应量势必会减少。一位业界高层人士表示：“随着存储产品日益高端化，物理层面的供应增长受限现象将不可避免。”

确保能够消化最尖端工艺的设备也需要更多时间。例如，全球最大的半导体设备制造商ASML计划将极紫外光（EUV）光刻机的数量从今年的65台增加到明年的85台，到2028年增至110台。即便如此，仍远不能满足客户的需求。 半导体生产企业为维持高利润率，采取了先期确保生产设施，但根据需求灵活调整设备进厂和量产规模的策略。

下一代智能半导体事业团团长金亨俊（首尔大学名誉教授）表示：“即使先建造大规模工厂，也需要采取根据市场行情灵活调整设备进厂和生产线投产的战略”，并指出“过去那种内存周期已经不复存在”。