[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 今年上半年，股市掀起了一股“半导体股”热潮。如果10年前持有三星电子和SK海力士的股票，现在的收益率会有多高呢？

2016年9月23日，三星电子收盘价为157.1万韩元。若计入2018年实施的50:1面值拆股，相当于约3万韩元。恰好10年后的23日，收盘价为28.55万韩元，涨幅约为809%。 同期，SK海力士股价从3万9350韩元飙升至186万2000韩元，收益率高达约4632%。

股价的惊人上涨背后，完整地映射出韩国半导体产业的十年历程。仅在2016年，存储器市场的核心还集中在个人电脑和智能手机上。 用于个人电脑的DRAM、智能手机用的移动DRAM以及用于存储数据的NAND闪存，共同左右着两家公司的业绩。当内存价格上涨时，业绩会激增；而当供应过剩导致价格下跌时，利润也会急剧缩减——两家公司直接受到了这种典型“内存周期”的影响。

当时，三星电子全球首创量产了10纳米级第一代（1x）8Gb DDR4 DRAM，而V-NAND正处于从48层向64层过渡的时期。 SK海力士在扩大20纳米级第三代（2Znm）DRAM产量的同时，开始供应36层3D NAND，并于当年11月启动了48层产品的量产。2016年，三星电子在半导体业务方面实现销售额51.16万亿韩元，营业利润13.6万亿韩元。营业利润率为26.6%。 相比之下，SK海力士的销售额为17.198万亿韩元，营业利润为3.2767万亿韩元，营业利润率为19.1%。

整整10年后，市场以人工智能（AI）数据中心为中心发生了剧变。通过将多个DRAM垂直堆叠以提高带宽的高带宽内存（HBM），已成为决定AI加速器性能的核心部件。随着生成式AI的普及，英伟达等AI加速器对HBM的需求激增，内存已从简单的存储设备转变为决定AI运算性能的核心部件。

技术已实现重大飞跃。目前，三星电子和SK海力士正同步将DRAM的10纳米级第六代（1c）工艺作为主力进行扩大。在NAND领域，三星电子量产286层第九代V-NAND，SK海力士量产321层产品，将10年前仅为48~64层的堆叠层数提升至300层左右。 在HBM领域，两家公司均已于今年进入HBM4量产与供应阶段。虽然SK海力士目前仍占据整个HBM市场的领先地位，但三星电子正在HBM4领域迅速追赶。对于下一代HBM4E，两家公司均已完成向主要客户的样品供应，并正在准备量产。

HBM也缩小了两家公司的业绩差距。SK海力士在HBM3和HBM3E市场占据主导地位，一跃成为AI内存繁荣期的最大受益企业。今年上半年，其销售额达131.895万亿韩元，营业利润达98.1529万亿韩元，营业利润率高达74.4%，创下历史新高。 三星电子DS部门同期营收达209.2万亿韩元，营业利润142.9万亿韩元，营业利润率高达68.3%。在AI内存繁荣的背景下，两家企业的业绩规模已发生翻天覆地的变化，与2016年相比已不可同日而语。

AI热潮带来的现金正回馈给股东。三星电子董事会上月通过了今年约90兆至110兆规模的历史最大股东回报实施方案。这一规模约为此前最高纪录——2020年的20.3兆——的5倍。 SK海力士上月也召开董事会，决定回购40万亿规模的自家股票并予以全部注销。同时制定了将2025至2027年累计自由现金流（FCF）的50%以上返还给股东的方针。

过去10年，PC和智能手机重塑了韩国半导体行业的市值；预计未来10年，AI将再次决定其价值。从HBM到下一代存储器、代工及先进封装，围绕AI时代主导权的科技竞争预计将更加激烈。

三星电子表示，短期内将扩大HBM4、HBM4E、DDR5、SOCAMM2及企业级SSD的销售，在代工领域则将着手量产第二代2纳米移动产品，并扩大AI及高性能计算（HPC）领域的订单。 该公司还公布了计划：到2040年将在韩国国内投资约2450兆韩元，其中约2100兆韩元将用于扩充半导体产能。

SK海力士也计划到2040年投入约1100兆韩元，以率先应对全球AI内存需求。短期内，该公司计划扩大HBM4产量并继续开发HBM4E，同时提高1c DRAM和321层NAND的占比，并扩大长期供应协议（LTA），以此夯实中长期增长基础。