[eDailyChoi Oh-hyun 记者] SK海力士计划于2028年在DRAM量产工艺中应用下一代光刻技术——高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）。该公司还正在考虑加入由全球光刻设备制造商ASML和台湾台积电等主导的“大型掩模联盟”，以加快掌握下一代微细工艺技术。
（图片来源：SK海力士）
据路透社8日报道，SK海力士通过声明表示，其目标是在2028年将新一代先进光刻设备——高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）应用于DRAM量产。此外，该公司还补充称，正在考虑参与与引进12英寸光掩模相关的联盟。
High-NA EUV是一种通过应用高于现有EUV的数值孔径（NA）来提高分辨率的下一代光刻技术。现有EUV设备的NA为0.33，而High-NA EUV则提升至0.55，能够实现更精细的电路图案。随着下一代半导体电路的进一步微细化，该技术被视为能够将产品性能和生产效率提升一个档次的关键技术。
SK海力士自2021年在10纳米级第四代（1a）DRAM量产中首次引入EUV以来，已将应用范围扩展至尖端DRAM领域。随着未来DRAM微细化进程的进一步推进，仅靠现有EUV实现微细电路的局限性日益凸显，因此该公司计划利用高数值孔径EUV降低工艺复杂度，并加快下一代存储器的开发速度。
SK海力士还正在考虑加入一个旨在通过12英寸光掩模改变行业标准的联盟。ASML等全球企业目前正在运营一个协商机构，旨在将曝光工艺中长期使用的6英寸光掩模更换为12英寸。三星电子也参与了该联盟。
如果继续使用现有的6英寸光掩模，虽然高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）能够实现精细曝光，但单次曝光的区域比现有EUV更小，这可能导致大型芯片生产时的生产效率下降。为此，该联盟正推动将光掩模尺寸扩大至12英寸，以提高生产效率并降低制造成本。 相关企业计划在12英寸光掩模的开发、设备与材料技术的掌握以及相关标准的制定等方面展开合作。
据路透社8日报道，SK海力士通过声明表示，其目标是在2028年将新一代先进光刻设备——高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）应用于DRAM量产。此外，该公司还补充称，正在考虑参与与引进12英寸光掩模相关的联盟。
High-NA EUV是一种通过应用高于现有EUV的数值孔径（NA）来提高分辨率的下一代光刻技术。现有EUV设备的NA为0.33，而High-NA EUV则提升至0.55，能够实现更精细的电路图案。随着下一代半导体电路的进一步微细化，该技术被视为能够将产品性能和生产效率提升一个档次的关键技术。
SK海力士自2021年在10纳米级第四代（1a）DRAM量产中首次引入EUV以来，已将应用范围扩展至尖端DRAM领域。随着未来DRAM微细化进程的进一步推进，仅靠现有EUV实现微细电路的局限性日益凸显，因此该公司计划利用高数值孔径EUV降低工艺复杂度，并加快下一代存储器的开发速度。
SK海力士还正在考虑加入一个旨在通过12英寸光掩模改变行业标准的联盟。ASML等全球企业目前正在运营一个协商机构，旨在将曝光工艺中长期使用的6英寸光掩模更换为12英寸。三星电子也参与了该联盟。
如果继续使用现有的6英寸光掩模，虽然高数值孔径（High-NA）极紫外光刻（EUV）能够实现精细曝光，但单次曝光的区域比现有EUV更小，这可能导致大型芯片生产时的生产效率下降。为此，该联盟正推动将光掩模尺寸扩大至12英寸，以提高生产效率并降低制造成本。 相关企业计划在12英寸光掩模的开发、设备与材料技术的掌握以及相关标准的制定等方面展开合作。
