[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 三星电子将与全球最大的半导体设备制造商ASML携手，着手开发将多年来作为行业标准的6英寸光掩模扩大至12英寸的制造标准。 其目标是通过同时运用下一代光刻设备——高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）——与12英寸光掩模，重塑超微细工艺的格局。公司计划于2028年率先在业内将其应用于DRAM量产。

三星电子8日宣布，将加入由ASML主导的“大型光掩模联盟”。 该联盟旨在将过去数十年来用于半导体光刻工艺的6英寸光掩模升级为12英寸。半导体制造企业获取EUV设备，被视为进军技术霸权核心——超微细工艺——的最重要条件。SK海力士也在考虑加入该联盟。

光掩模是承载着要刻印在晶圆上的微细电路图案的精密模板。曝光设备利用光线，将光掩模中的电路图案转移到晶圆上。 高数值孔径（High-NA）EUV虽然比现有EUV能够实现更精细的图案化，但若使用相同尺寸的光刻掩模，单次曝光的面积会相应减少。半导体业界预计，若使用大面积光刻掩模，可一次性将电路刻印到晶圆上，从而提高生产效率并降低制造成本。

随着近期半导体电路设计的日益复杂，高数值孔径（High-NA）极紫外光刻技术的引入不仅对逻辑工艺，对先进存储器制造也至关重要。三星电子计划在2028年前将高数值孔径（High-NA）极紫外光刻技术引入先进DRAM量产工艺。基于2020年业内首创将极紫外光刻技术应用于DRAM量产的经验，其目标是将高数值孔径（High-NA）极紫外光刻技术也尽早纳入量产体系。

三星电子副董事长全永贤表示：“AI时代的到来正在改变半导体产业的范式”，并称“将通过与ASML的合作，为‘下一代AI’技术奠定基础”。