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投入30%研发人员的中国YMTC……瞄准20%的NAND市场份额

研发人员4796人……3年内投资142亿元 第二季度NAND出货量市场份额达16.5%……目标进一步扩大 基于自主研发的堆叠技术“X-Stacking”推进DRAM业务布局 美国出口管制与产能扩张将成为未来增长的变数

JAEMIN SONG
2026-10-22 14:09:53
[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 中国最大的NAND闪存制造商长江存储(YMTC)正将超过30%的员工投入研发(R&D),加速进军全球存储市场。该公司凭借自主研发的堆叠技术,计划将NAND市场份额扩大至20%,同时积极推进进军DRAM市场,预计这将使与三星电子和SK海力士等韩国存储企业的竞争进一步加剧。

(图片来源:Counterpoint Research)

据市场调研机构Counterpoint Research 22日披露,正在推进在上海科创板(STAR Market)上市的YMTC拥有4796名研发人员,占全体员工总数的30%以上。 2023年至2025年的3年间,累计研发投资额达142亿元人民币(约合2.8万亿韩元)。已获得的注册发明专利达5611项。

此类技术投入正推动其NAND市场份额的扩大。根据Counterpoint Research的统计,YMTC今年第二季度全球NAND出货量市场份额为16.5%。YMTC提出了将市场份额长期提升至20%的目标。尽管面临美国对华半导体出口管制,该公司仍计划通过扩大生产能力和技术竞争力,在全球市场中拓展自身地位。

YMTC的竞争力基于其自主研发的堆叠技术“Xtacking”。该技术通过将存储单元阵列和周边逻辑电路分别制备在不同的晶圆上,再进行组合,从而能够针对各自工艺应用最优化的技术。其优势在于,即使在获取先进光刻设备受限的情况下,也能利用相对成熟的工艺实现高集成度存储器。

据悉,三星电子也于去年2月获得了YMTC的Xtacking相关专利许可。Counterpoint Research将此评价为彰显YMTC技术竞争力的例证。

YMTC还正在推进将X-Stacking技术从NAND扩展至DRAM的工作。自去年10月起,该公司在第二工厂(Fab 2)以每月约5000片的规模,正在开发和测试第二代16千兆比特(Gb)LPDDR5 DRAM。 数据传输速度达到每秒7500兆传输(MT/s)的水平,目前尚未采用高K金属栅(HKMG)工艺。

(图片来源:Counterpoint Research)

作为后续产品,该公司正推进基于垂直通道晶体管(VCT)的4F²单元结构、传输速率达9600MT/s级别的LPDDR5开发工作。计划在第三工厂(Fab 3)对该产品进行量产。此举被解读为一种战略,即通过将现有NAND业务中掌握的晶圆堆叠技术应用于DRAM,从而扩大产品组合。

不过,要实现实际的市场扩张,仍面临不少挑战。自2022年12月被列入美国商务部交易限制名单以来,YMTC在获取尖端半导体设备方面一直受到限制。美国正在推进的旨在加强半导体出口管制的《MATCH法案》,也直接针对YMTC,这可能会给其获取光刻、蚀刻和沉积设备带来额外负担。

在DRAM业务方面,新产品的质量认证和量产良率的保障是关键。YMTC计划将包括DRAM在内的整体晶圆产能扩大至每月约50万片。不过,为了扩充产能并实现下一代DRAM的量产,必须解决因美国出口管制导致的设备采购问题,因此实际量产时间表和NAND市场份额的扩大速度仍有待观察。

Counterpoint Research研究副总裁尼尔·夏表示:“从长远来看,3D DRAM终将成为行业的发展方向”,并指出:“已验证过堆叠晶圆结合技术能力的YMTC,在此转型过程中占据有利地位。”

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