[E-DailySOYEON KIM 记者] 三星电子和SK海力士将着手提升其在中国境内NAND闪存工厂的工艺水平。这是为了应对中国扬子江存储（YMTC）的追赶，通过生产高层叠NAND闪存来提升技术竞争力和盈利能力的战略。

据21日业界消息，三星电子正在中国西安第二工厂推进286层第9代（V9）NAND闪存的生产。自2023年起，三星电子便一直在将西安工厂的主力产品——128层第6代（V6）NAND生产线——升级为236层第8代（V8）工艺。 此次向V9工艺的转换同样旨在提升现有生产设施的工艺水平，三星电子表示，在遵守美国对华半导体设备出口管制的同时，正与美国政府协商并推进相关投资。

SK海力士也在推进中国大连工厂的生产设施扩建。作为SK海力士孙公司的Solidigm，正在从英特尔收购的大连工厂生产NAND闪存，目前正进行追加设备引进。 SK海力士在收购后的次年，即2022年，开始动工建设大连第二工厂，并于2023年竣工，但当时受存储器行业低迷影响，一直推迟了设备的搬入。据悉，近期在获得美国政府批准后，该公司正在闲置空间内安装用于NAND生产的设备。

韩国内存企业着手提升中国生产设施的水平，是为了利用现有设备提高生产效率和成本竞争力。将旧款NAND生产线转换为高层叠工艺后，同一片晶圆可生产的内存容量将增加，从而提升生产效率。特别是鉴于美国对华半导体设备出口管制限制了当地投资，最大限度地利用现有生产设施变得尤为重要。

中国企业的迅猛追赶也被视为加速工艺升级的背景之一。据市场调研机构Omdia数据显示，今年第二季度全球NAND闪存市场中，三星电子的市场份额为28.1%。 这一份额较2024年和2025年超过30%的水平已回落至20%左右。相比之下，YMTC的市场份额则从2024年的8%稳步扩大至去年的10.7%、今年第一季度的14.0%以及第二季度的14.2%。

在中国国内市场，市场份额的逆转已然显现。今年第二季度，YMTC在中国NAND市场中的份额达到38.7%，超越了三星电子（33.4%）。随着中国企业以本土市场为基础迅速扩大市场版图，其在全球市场蚕食韩国企业市场份额的可能性也在不断增大。

仅就中国国内市场而言，扬子记忆体已超越三星电子。截至今年第二季度，三星电子在中国国内市场的份额为33.4%，而扬子记忆体则高达38.7%。

特别是NAND闪存，被认为是中国企业能够相对更快地缩小技术差距的领域。DRAM的核心在于电路微细化和精密工艺控制，而NAND则是以垂直堆叠存储单元的超多层技术为中心发展起来的。 下一代智能半导体事业团团长金亨俊（首尔大学名誉教授）解释道：“中国在NAND领域的追赶已迫在眉睫”，“与韩国存储器企业仅存在1至2年的差距。”

一位业界相关人士解释道：“随着人工智能（AI）时代NAND需求的快速增长，韩国内存企业也不得不着手提高中国工厂的运营效率和盈利能力”，并表示：“他们正在寻找既能遵守美国对华限制措施，又能最大限度利用当地生产设施的方案。”