[E-DailyJAEMIN SONG 记者] SK海力士因成功验证了新一代高带宽内存（HBM）——HBM5与台湾台积电（TSMC）的先进封装技术，其成果获得认可，连续两年被评选为“年度合作伙伴”。

SK海力士28日表示，该公司于23日（当地时间）参加了在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“台积电开放创新平台（OIP）大会”，并介绍了下一代人工智能（AI）内存产品及开发战略。

OIP是台积电为与半导体生态圈企业共同开发技术并开展合作而运营的开放式创新平台。SK海力士自2024年起便参与相关论坛，并陆续公开了与台积电共同开发的AI内存技术。

在本次活动中，SK海力士凭借基于台积电2.5维先进封装技术“芯片-晶圆-基板（CoWoS）”对HBM5进行验证的合作成果，荣获“3D Fabric-HBM集成”类别的年度合作伙伴奖。这是该公司继去年之后连续第二年获奖。

HBM随着代次的更迭，其堆叠层数和数据处理速度不断提升。若要在实际的AI加速器中实现该性能，还必须同步开发将HBM与图形处理单元（GPU）等集成于同一基板上的先进封装技术。SK海力士与台积电自HBM5开发初期起，便一直共同验证封装兼容性和性能。

在本次展会上，SK海力士以“支撑大规模智能的存储器”为主题，展示了从HBM到服务器级DRAM、企业级固态硬盘（eSSD）等AI基础设施所需的产品系列。

特别是，现场公开了英伟达下一代超级芯片“Vera Rubin”搭载SK海力士12层36千兆字节（GB）HBM4和96GB SOCAMM2的实机展示。 HBM4可快速传输鲁宾GPU周边大规模运算所需的数据；而基于低功耗DRAM的AI服务器内存模块SOCAMM2，则承担着维拉中央处理器（CPU）主内存的角色。

展台周边还同步展出了12层48GB HBM4E、16层48GB HBM4、12层36GB HBM3E以及192GB SOCAMM2等新一代产品。 在服务器DRAM产品方面，展出了专为AI任务优化的256GB 3DS RDIMM、高带宽128GB MRDIMM，以及采用10纳米级第六代（1c）工艺的64GB RDIMM等。

在企业级SSD展区，陈列了支持直接液冷（DLC）技术的“PEB210 E1.S”，以及SK海力士首款基于四级单元（QLC）的eSSD“PS1101 E3.S”等产品。QLC技术通过在单个NAND闪存单元中存储4位数据，可在相同面积内提升存储容量。

负责技术发布、SK海力士PCIe设计主管朴大植预测，随着AI基础设施的扩展，基于PCI Express（PCIe）的eSSD市场规模将从2026年的509艾字节（EB）增长至2030年的1933 EB，增幅约为3.8倍。 随着对高容量、高密度产品及散热效率需求的增加，预计E1.S和E3规格的需求也将迅速增长。

SK海力士正从PCIe第6代和第7代产品开始，筹备基于“小芯片”（chiplet）的下一代解决方案，即将原有的单一SSD控制器拆分为按功能划分的独立芯片。计划通过通用小芯片接口（UCIe）连接各小芯片，以缩短开发周期，并推动容量扩展和功耗优化。

SK海力士表示：“在台积电OIP大会上，我们连续两年荣获‘年度合作伙伴奖’，这再次印证了双方长期积累的合作成果”，并强调：“我们将与各合作伙伴紧密协作，共同打造AI时代所需的存储解决方案。”