[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 随着人工智能（AI）半导体市场的迅猛增长，全球存储器厂商在韩国争夺人才的竞争日益激烈。继美国美光之后，NAND闪存厂商闪迪也开始在韩国招聘研发（R&D）人才，预计围绕三星电子和SK海力士核心人才的竞争将进一步加剧。

据13日业界消息，闪迪近期正通过全球商务社交平台领英（LinkedIn）等渠道，招聘将在韩国工作的工程师。招聘领域涵盖固件工程、超大规模集成电路（VLSI）设计、NAND内核设计、光罩设计、NAND系统架构等，其中大量涉及NAND开发的核心岗位。招聘范围从实习生到资深工程师均涵盖其中。

特别是，多数职位要求5年以上工作经验，并将高带宽内存（HBM）、低功耗DRAM（LPDDR）和图形DRAM（GDDR）等主要内存的开发经验列为任职资格。正因如此，有分析认为，曾在三星电子和SK海力士等韩国本土内存企业积累经验的资深人才可能会成为主要招聘对象。

闪迪在韩国大规模招募研发人员实属罕见。据悉，闪迪韩国此前一直以销售、分销和市场营销为核心运营国内业务，但近期通过增加工程师招聘，着手加强研发能力。随着AI服务器和数据中心的投资扩大，以企业级固态硬盘（eSSD）为中心的NAND需求迅速增长，这也是其背景原因之一。

在DRAM领域，人才争夺战也已全面展开。全球DRAM第三大厂商美光科技近期通过领英等平台，向曾任职于三星电子和SK海力士的工程师发出经验职招聘邀请，积极拓展韩国人才资源。HBM和先进封装等AI半导体核心领域是其主要招聘目标。

韩国本土企业也在加快人才招募步伐。三星电子正通过下半年应届生公开招聘，招募HBM等高性能存储器开发以及半导体工艺和设备领域的人才。SK海力士近期也持续开展以设计、器件、研发工艺、量产技术等技术岗位为主的应届生和有经验人才招聘。