[E-DailyPark Jung-Soo 记者] 未来资产证券26日表示，SamsungElectronics(005930)近期股价下跌是市场对宏观不确定性的过度反应，因此维持“买入”投资评级和37万韩元的目标价。24日收盘价为25.7万韩元，上行空间为44.0%。
未来资产证券分析师金永建表示：“尽管实施了史无前例的股东回报政策，但受宏观不确定性担忧影响，股价反应过度。”他分析称：“以当前股价计算，12个月前瞻市净率（PBR）和市盈率（PER）分别降至1.7倍和4.3倍，已回落至人工智能（AI）周期之前的水平。” 他随后强调：“经营环境和行业前景的实质性变化有限。”
特别是，他认为大规模的股东回报将支撑股价下行空间。三星电子于21日公告，今年将实施规模为90万亿至110万亿韩元的股东回报计划。计划在第三季度发放约30万亿韩元的现金股息，剩余部分将于明年1月的董事会会议上确定。 以24日收盘价为基准，今年最高股息收益率普通股达8.3%，优先股达11.0%。
业绩展望也保持不变。未来资产证券预计，三星电子今年第三季度和第四季度的营业利润将分别达到120兆韩元和126兆韩元。明年全年营业利润预期为559兆韩元。 预计到2028年，DRAM供需紧张的态势将持续，在高带宽内存（HBM）价格上涨的带动下，DRAM平均销售价格（ASP）今年第三季度将上涨15%，第四季度上涨5%，明年上涨22%。分析指出，由于超过一半的销售额被长期供应合同（LTA）锁定，业绩波动性正在降低。
报告还评估称，来自中国的内存供应过剩担忧较为有限。 未来资产证券于17日至22日对中国当地7家半导体企业进行实地考察后发现，中国AI基础设施需求正在快速增长。报告解释称，需求主体已从政府补贴转向云服务提供商（CSP）和AI模型企业的实际需求，且CSP的设备投资计划也正接连上调。国产AI加速器的普及同样推动了当地HBM需求的增长。
另一方面，预计中国HBM自主化进程将比预期更为缓慢。分析指出，当地加速器厂商预计实现HBM3级自给自足的时间点约为两年后，自给产能尚无法跟上激增的需求。因此，尽管中芯国际（CXMT）扩大HBM产能势在必行，但鉴于HBM对普通DRAM产能的蚕食率约为后者的4倍，判断中国引发的DRAM供过于求的可能性有限。
三星电子的定制HBM技术竞争力也被列为企业价值重新评估的因素之一。三星电子在“Hot Chips 2026”大会上公布了定制HBM的三阶段路线图。在基底芯片上采用自主研发的4纳米（nm）工艺，将XPU的内存控制器迁移至此，并通过HPB技术将峰值发热量降低了35%。 此外，还公布了无需中介层、直接在XPU上堆叠内存的“zHBM”技术，据称可将功耗降低约70%。
金研究员评价道：“zHBM是以6微米（㎛）以下间距的混合键合以及内存与系统级芯片（SoC）集成设计为前提的、业界尚未涉足的领域”，并指出“只有同时拥有内存、前沿代工和先进封装技术的三星电子，才能实现这项技术的自主化”。 他进一步预测：“股东回报将为股价提供下行支撑，而定制HBM的技术优势最终将推动企业价值的重新评估。”