[E-DailySOYEON KIM 记者] 三星电子于4日至6日（当地时间）参加了在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的“FMS（Future of Memory and Storage）2026”大会，并率先向业界展示了下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O的实物模型（Mock-up），提出了人工智能（AI）存储的下一代技术愿景。
三星电子5日表示，在FMS 2026上，该公司设置了约20坪规模的最大展区，并展示了以AI云服务器为原型的展位。展区内以涵盖DRAM、NAND闪存及存储设备的广泛存储产品组合为核心，展出了约30款产品，介绍了AI存储的核心技术及客户定制化解决方案。
活动首日（4日，当地时间），闪存开发室副总裁李镇叶与DRAM开发室常务金京伦以“引领AI革命的3D内存及存储架构创新”为主题发表了主题演讲。他们提出了基于zHBM、zNAND-O等新一代3D内存的解决方案，以解决AI内存瓶颈问题。 这是旨在最大化AI系统性能与能效的技术愿景。特别是在主题演讲中，该公司首次向业界公开了层数超过400层的V10 BV-NAND，强调了下一代NAND技术的竞争力。
随着高性能计算（HPC）及AI基础设施的普及，市场对大容量、高带宽内存的需求日益增长，仅靠现有的HBM已难以满足未来所需的性能水平。
三星电子V10 BV-NAND产品（图片来源：三星电子）
为此，三星电子提出了zHBM作为替代方案。zHBM是在传统将高带宽内存（HBM）部署在AI加速器（xPU）旁的方式基础上更进一步，将HBM垂直堆叠在AI加速器顶部的下一代架构。 即在图形处理单元（GPU）上方堆叠HBM的形式。通过将AI加速器与内存之间的数据传输距离最小化，从而提升带宽和能效。
随着AI推理市场的快速扩张，需要处理的数据量激增，兼具带宽和容量可扩展性的下一代AI内存技术竞争也已全面展开。
4日（当地时间），在美國矽谷举行的“FMS 2026”大会上，三星电子DRAM开发室常务金京伦正在发表演讲（图片来源：三星电子）
采用zHBM的下一代接口系统，其性能较HBM5最高可提升8倍。zHBM是一种可进行客户定制设计的3D内存解决方案。三星计划基于与客户的协作，推进AI处理器与内存之间的优化，从而最大限度地发挥zHBM的性能。
三星电子还在NAND领域提出了3D存储架构愿景。zNAND-O是三星电子正在开发的新一代高性能NAND闪存解决方案。该产品利用现有V-NAND的垂直堆叠技术，结合硅通孔（TSV）技术，将4层或8层半导体芯片进行3D封装而成。 产品名称末尾的“-O”表示该产品专为设备端AI环境进行了优化。
在此次展会上，三星电子首次向业界展示了垂直堆叠层数超过400层的第10代V-NAND“V10 BV-NAND”。这是自13年前在同一活动中全球首度发布V-NAND技术以来，技术创新取得的成果。
三星电子zHBM原型机（图片来源：三星电子）
V10 BV-NAND基于400层以上的超高层叠结构，提升了性能和能效。其存储器集成度较上一代（V9）提高了约58%，可在相同面积内存储更多数据。
此外，还展示了包括△HBM4E △HBM5 △LPDDR5X-PIM △PM1763等在内、专为高性能计算和AI数据中心优化的下一代内存及存储解决方案。
三星电子于今年2月率先在业界量产出货了采用1c DRAM和4纳米基片技术的HBM4，并于5月全球首家向客户供货HBM4E样品，持续强化技术竞争力以引领下一代HBM市场。 在本次活动中，三星电子展出了搭载HBM4E的下一代AI平台和晶圆，并公开了采用新型热管理技术HPB（Heat Path Block）以提供更高带宽和容量的HBM5原型机。
LPDDR5X-PIM是三星电子全球首创的产品，作为新一代内存产品，它通过在内存内部执行运算，优化数据传输并提升了能效。
三星电子是一家涵盖存储、逻辑、代工及封装业务的综合半导体（IDM）企业。作为能够提供新一代存储技术创新和一站式解决方案的半导体企业，该公司计划通过差异化解决方案，强化其在AI时代半导体技术的领导地位。
4日（当地时间），在美國矽谷举行的“FMS 2026”大会上，三星电子闪存开发室副总裁李镇叶正在发表演讲（图片来源：三星电子）
三星电子5日表示，在FMS 2026上，该公司设置了约20坪规模的最大展区，并展示了以AI云服务器为原型的展位。展区内以涵盖DRAM、NAND闪存及存储设备的广泛存储产品组合为核心，展出了约30款产品，介绍了AI存储的核心技术及客户定制化解决方案。
活动首日（4日，当地时间），闪存开发室副总裁李镇叶与DRAM开发室常务金京伦以“引领AI革命的3D内存及存储架构创新”为主题发表了主题演讲。他们提出了基于zHBM、zNAND-O等新一代3D内存的解决方案，以解决AI内存瓶颈问题。 这是旨在最大化AI系统性能与能效的技术愿景。特别是在主题演讲中，该公司首次向业界公开了层数超过400层的V10 BV-NAND，强调了下一代NAND技术的竞争力。
随着高性能计算（HPC）及AI基础设施的普及，市场对大容量、高带宽内存的需求日益增长，仅靠现有的HBM已难以满足未来所需的性能水平。
为此，三星电子提出了zHBM作为替代方案。zHBM是在传统将高带宽内存（HBM）部署在AI加速器（xPU）旁的方式基础上更进一步，将HBM垂直堆叠在AI加速器顶部的下一代架构。 即在图形处理单元（GPU）上方堆叠HBM的形式。通过将AI加速器与内存之间的数据传输距离最小化，从而提升带宽和能效。
随着AI推理市场的快速扩张，需要处理的数据量激增，兼具带宽和容量可扩展性的下一代AI内存技术竞争也已全面展开。
采用zHBM的下一代接口系统，其性能较HBM5最高可提升8倍。zHBM是一种可进行客户定制设计的3D内存解决方案。三星计划基于与客户的协作，推进AI处理器与内存之间的优化，从而最大限度地发挥zHBM的性能。
三星电子还在NAND领域提出了3D存储架构愿景。zNAND-O是三星电子正在开发的新一代高性能NAND闪存解决方案。该产品利用现有V-NAND的垂直堆叠技术，结合硅通孔（TSV）技术，将4层或8层半导体芯片进行3D封装而成。 产品名称末尾的“-O”表示该产品专为设备端AI环境进行了优化。
在此次展会上，三星电子首次向业界展示了垂直堆叠层数超过400层的第10代V-NAND“V10 BV-NAND”。这是自13年前在同一活动中全球首度发布V-NAND技术以来，技术创新取得的成果。
V10 BV-NAND基于400层以上的超高层叠结构，提升了性能和能效。其存储器集成度较上一代（V9）提高了约58%，可在相同面积内存储更多数据。
此外，还展示了包括△HBM4E △HBM5 △LPDDR5X-PIM △PM1763等在内、专为高性能计算和AI数据中心优化的下一代内存及存储解决方案。
三星电子于今年2月率先在业界量产出货了采用1c DRAM和4纳米基片技术的HBM4，并于5月全球首家向客户供货HBM4E样品，持续强化技术竞争力以引领下一代HBM市场。 在本次活动中，三星电子展出了搭载HBM4E的下一代AI平台和晶圆，并公开了采用新型热管理技术HPB（Heat Path Block）以提供更高带宽和容量的HBM5原型机。
LPDDR5X-PIM是三星电子全球首创的产品，作为新一代内存产品，它通过在内存内部执行运算，优化数据传输并提升了能效。
三星电子是一家涵盖存储、逻辑、代工及封装业务的综合半导体（IDM）企业。作为能够提供新一代存储技术创新和一站式解决方案的半导体企业，该公司计划通过差异化解决方案，强化其在AI时代半导体技术的领导地位。
