[E-DailyJAEMIN SONG 记者] SK海力士针对人工智能（AI）时代所需的高速内存接口和下一代电极技术等产学研合作研究成果，进行了评选并颁发了奖项。

SK海力士16日宣布，已在京畿道利川园区举办了“2026年产学研课题优秀发明颁奖典礼”。经评审去年申请的26项产学研专利，最终评选出1项最高奖、1项优秀奖和3项鼓励奖，共计5项。

公司技术与专利部门的主要高管及实务人员出席了此次活动，包括未来技术研究院院长车善勇、法务与专利部门负责人蔡熙锡、研发（R&D）战略负责人金在范、专利负责人金延洙等。

产学研项目优秀发明颁奖典礼自2013年起每年举办一次，旨在表彰与大学共同开展的研究中，技术成果显著且专利价值较高的发明。

最高奖由首尔大学崔宇锡教授的“用于下一代多电平信号传输的电路设计”相关专利获得。该技术可在计算芯片与内存之间以低能耗实现快速数据传输，同时减少高速运行时产生的电源噪声。

研究团队通过改进基于三电平电压信号传输数据的“PAM3”方案的电路设计，提高了数据传输的稳定性。经实测证实，其传输性能比现有方案更为稳定，相关专利已与SK海力士共同申请。

优秀奖由延世大学的金亨俊教授凭借“新一代存储器用电极材料及器件特性控制技术”获得。该技术无需引入新材料或额外工艺，仅通过调节单一工艺参数即可改变电极和器件的特性。该技术因能定量分析不同工艺条件下的物性与器件特性，并已具备可应用于实际产品开发的成熟度而受到高度评价。

鼓励奖则分别授予了首尔大学黄哲成教授的垂直型SOM单元材料沉积用高温原子层沉积·化学气相沉积（ALD·CVD）工艺、首尔科技大学崔炳俊教授的下一代存储器用高温ALD·CVD前驱体及工艺，以及汉阳大学韩在德教授的UFS 5.0及下一代M-PHY高速接口电路相关专利。

SK海力士未来技术研究院院长车善用表示：“通过产学合作发掘的优秀专利，将有助于提升韩国半导体产业的技术竞争力”，并表示“我们将继续提供支持，以促进具有挑战性和创新性的研究蓬勃开展”。