[E-DailyPark Jung-Soo 记者] 锂电池材料企业NANOBRICK Co., Ltd.(286750) （纳诺硅坎）已着手获取旨在降低硅负极材料制造成本并提升其性能的核心工艺技术的知识产权（IP）。
纳诺硅卡恩4日表示，为尽快获得去年底申请的“硅负极材料制造工艺”专利权，已针对韩国专利局的意见通知书（OA）提交了答复意见书，并申请了优先审查。
该技术的核心在于，将旨在提升硅负极材料性能的表面改性与确保导电性的碳涂层工艺，在同一工序中同时完成。该公司解释称，以往主要采用分别进行这两道工序的方式，这不仅增加了工艺步骤，还可能加重制造成本负担；而纳米硅坎将这两道工序整合为单一工序，从而提高了工艺效率并降低了制造成本。
针对相关技术的后续专利申请也在持续进行中。纳诺硅坎于今年8月，针对原有技术进行了补充和改良，追加申请了第二项和第三项专利。
后续专利中包含了在同时进行表面改性与碳涂层的过程中，对硅表面变化进行精密控制和定量测量的方法论。
特别是第三项专利，重点针对被视为硅负极材料局限性的初期库仑效率（Initial Coulombic Efficiency·ICE）下降问题进行了改进。该专利提出了一种在材料制造阶段应用预锂化（Pre-lithiation）工艺来提升初期库仑效率的机制。
纳米硅坎计划通过此次连续专利申请，预先 확보硅负极材料相关核心技术的知识产权，并在下一代电池材料市场上增强技术竞争力。
纳米硅坎相关人士表示：“此次连续专利申请的意义在于，建立了能够同时解决被视为硅负极材料商业化主要障碍的高制造成本和初期效率下降问题的独有技术基础”，并称“将利用优先审查制度尽早确保知识产权，并在下一代电池材料市场中持续增强技术竞争力。”