[E-DailySOYEON KIM 记者] 三星电子在台湾台北举行的“SEMICON Taiwan 2026”上公布了所谓的“CUBE”战略。该公司正凭借业界最大规模的生产能力，加速巩固其在人工智能（AI）内存市场的领导地位。

据1日业界消息，三星电子半导体（DS）事业部存储器事业部产品企划团队负责人（常务）崔长锡在SEMICON Taiwan 2026上提出了旨在突破存储器技术瓶颈的“CUBE”战略。

“CUBE”战略旨在通过提升△Capacity（容量）△Utilization（利用率）△Bandwidth（带宽）△Efficiency（功耗与热效率）这四大技术能力，从而增强存储技术竞争力。 崔尚务解释道：“3D技术不仅仅是简单地堆叠，关键在于如何利用每一层，”并表示：“三星电子正在优化逻辑电路与内存的布局，以减少数据处理延迟。”

“SEMICON Taiwan”是由国际半导体设备与材料协会（SEMI）主办的国际半导体展览会，展示从半导体设计、制造到测试、封装的最新技术。本届展会于1日随着主要论坛和主题演讲的举行，正式拉开帷幕。

崔长石常务以“通过3D集成驱动AI时代”为主题，介绍了三星电子的下一代存储器zHBM和zNAND-O，以及3D封装技术等。其中，zHBM是一项突破传统将高带宽内存（HBM）部署在AI加速器旁的方式，转而将HBM垂直堆叠在AI加速器上方的技术。 其核心在于通过在图形处理单元（GPU）上方直接堆叠HBM的结构，缩短AI加速器与内存之间的数据传输距离，从而提升带宽和能效。

zHBM的目标是相比HBM4E实现△性能提升8倍、△每瓦性能提升3倍、△热阻降低75%~90%。三星电子从HBM2到HBM4E、HBM5，逐代持续优化了容量、带宽、能效及热管理技术。为满足日益增长的AI运算需求，该公司正加快技术研发步伐。

崔常务表示：“通过大幅缩短芯片间的距离，形成垂直‘高速公路’，从而能显著提升带宽。”他补充道：“3D技术的最终目标是降低传输单比特数据所需的能耗。”随后，他强调：“三星电子正通过提高结构效率，最大限度地提升每瓦性能。”

三星电子正依托业界最大的生产能力，加快巩固其在存储器市场的领导地位。公司在DRAM和NAND闪存市场均位居全球第一，引领着存储器市场。据市场调研机构Counterpoint Research数据显示，三星电子在今年第二季度的全球DRAM市场中，以39%的销售额市场份额位居榜首。SK海力士和美光分别以26%和25%的市场份额紧随其后。 在NAND闪存市场，三星电子也以29.3%的市场份额位居榜首，今年第二季度营收约为230.6亿美元。

大规模的生产能力被视为三星电子在存储器市场保持竞争力的核心基础。市场调研机构Omdia预计，三星电子今年DRAM产能（以300毫米晶圆为基准）将达到约817.5万片。 这一规模远超SK海力士（约666万片）和美光（约360万片）。在NAND闪存方面，预计三星电子今年的晶圆产量将达到约477万片，大幅领先于SK海力士和Solidigm（约279万片）。