[E-DailyShin Ha-yeon 记者] #MDVICE 获得了一项旨在提高高带宽内存（HBM）制造工艺可靠性的技术专利。

半导体专业企业M-Device于1日宣布，已获得关于HBM制造方法的专利授权。该技术采用先将形成介电层的核心芯片与基底晶圆进行键合，随后在核心芯片上形成硅通孔（TSV），从而与下层堆叠结构建立电气连接的方式。

与传统工艺先在核心芯片上预先形成TSV和金属焊盘后再进行键合的结构不同，该技术的特点在于改变了工艺顺序：先进行介电层键合，随后形成TSV以完成电气连接。

公司方面解释称，通过这种方式，可以减轻金属焊盘“Cu Dishing”工艺的负担，并改善在预先形成金属焊盘过程中可能出现的氧化层侵蚀（Oxide Erosion）、高温退火导致的晶圆翘曲（Warpage），以及因Dishing深度和均匀度偏差引发的裂纹（Crack）和接缝（Seam）等缺陷问题。

鉴于HBM被广泛应用于AI加速器、GPU、HPC、数据中心等高性能计算系统的核心内存，该公司计划以该专利为基础，逐步扩大其在下一代HBM及尖端封装市场的应对能力。

除了开发HBM等先进半导体封装技术外，M-Device还通过子公司扩大无人机业务。其子公司Nepar基于高性能NXP微控制器（MCU）开发了无人机飞行控制器（FC），并正与当地企业商讨产品应用及供应方案，以进军印尼农用无人机市场。在台湾防务及无人机市场，该公司也正在进行报价提交和业务洽谈。

业绩也呈现增长态势。M-Device今年上半年的销售额为486亿韩元，同比增长7%；营业利润为79亿8000万韩元，增长54%。

M-Device相关人士表示：“此次专利技术旨在改进现有HBM制造工艺中可能出现的金属垫片键合和晶圆变形问题，并在高层叠结构中实现更稳定的电气连接”，并称“今后计划持续加强在HBM及尖端半导体封装领域的技术竞争力”。