[E-DailySOYEON KIM 记者] 三星电子和SK海力士将在全球最大的存储器与存储专业会议“FMS 2026”上，大规模展示可解决人工智能（AI）存储器瓶颈问题的下一代技术。随着AI推理市场的快速扩大，需要处理的数据量激增，兼具带宽和容量可扩展性的下一代AI存储器技术竞争也已全面展开。
三星电子和SK海力士将参加4日至6日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的FMS 2026，并公布下一代AI内存技术与战略。两家公司计划通过主题演讲、小组讨论和展览等方式，提出AI时代所需的内存基础设施蓝图。
SK海力士于4日与闪迪（SanDisk）共同公布了新一代存储技术——高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。HBF是介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层。其特点是在提供HBM级别的高数据处理速度的同时，还能基于NAND闪存大幅扩展容量。
SK海力士4日宣布，已与闪迪通过OCP共同公布了下一代存储技术HBF的首个标准规范。（图片来源：SK海力士）
三星电子将在本届FMS上继zNAND之后，推出新一代三维（3D）堆叠存储器架构——zHBM。 zHBM并非像以往那样将存储器部署在GPU旁边，而是采用直接在GPU上方堆叠存储器的3D结构。由于实现这一结构需要从设计到代工、DRAM及先进封装技术有机结合，三星电子计划凭借其IDM竞争力引领下一代HBM市场。
SK海力士也将首次公开正在开发的第10代（V10）375层4D NAND的晶圆和产品。375层4D NAND的特点是与上一代相比，能效提高了2.5倍，该公司计划于明年年初开始量产采用该技术的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）。
三星电子和SK海力士将参加4日至6日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的FMS 2026，并公布下一代AI内存技术与战略。两家公司计划通过主题演讲、小组讨论和展览等方式，提出AI时代所需的内存基础设施蓝图。
SK海力士于4日与闪迪（SanDisk）共同公布了新一代存储技术——高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。HBF是介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层。其特点是在提供HBM级别的高数据处理速度的同时，还能基于NAND闪存大幅扩展容量。
作为连接HBF与处理器的接口，该技术采用了行业标准的芯片级连接接口（UCIe）。通过该接口，可灵活地将图形处理单元（GPU）、中央处理器（CPU）等各类处理器与HBF相连。 此次标准规范通过全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）对外公布。该战略旨在制定可供业界共同使用的开放标准，从而加速AI存储生态系统的扩展。目前，谷歌和TenStorent等企业已加入HBF联盟。
当天，SK海力士解决方案开发部门负责人金天成与下一代产品规划负责人姜旭成将共同发表主题演讲。演讲主题为“AI代理时代，基于分层内存的AI基础设施高效实现方案”。两位演讲者将提出“分层内存系统”作为解决AI数据瓶颈的核心战略。 他们计划介绍通过结合计算处理单元（xPU）的3D堆叠DRAM、HBF以及基于Compute Express Link（CXL）的内存池化技术等，构建内存分层架构的方案。
三星电子将在本届FMS上继zNAND之后，推出新一代三维（3D）堆叠存储器架构——zHBM。 zHBM并非像以往那样将存储器部署在GPU旁边，而是采用直接在GPU上方堆叠存储器的3D结构。由于实现这一结构需要从设计到代工、DRAM及先进封装技术有机结合，三星电子计划凭借其IDM竞争力引领下一代HBM市场。
SK海力士也将首次公开正在开发的第10代（V10）375层4D NAND的晶圆和产品。375层4D NAND的特点是与上一代相比，能效提高了2.5倍，该公司计划于明年年初开始量产采用该技术的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）。
