[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 受内存价格飙升影响,不仅全球科技巨头,就连个人电脑和智能手机制造商也在调整内存采购策略。
14日,在首尔江南区COEX举行的第28届半导体博览会(SEDEX 2026)上,三星电子展位展示了新一代高带宽内存(HBM)——HBM4E(第7代)。(图片来源:韩联社)
12日,市场调研机构TrendForce表示:“持续一年多的内存价格上涨,正使消费电子行业面临日益沉重的成本压力”,并称“部分制造商已开始调整内存采购计划,并与内存供应商就2027年的产品配置及供应需求重新进行谈判”。
据解释,制造商们原本预计随着人工智能(AI)投资的扩大,PC用DRAM价格将持续上涨,因此采购量超过了实际需求,但受销售萎缩影响,库存正在增加。TrendForce称,PC厂商们也正在下调2027年第一季度消费级固态硬盘(SSD)的采购计划。
同时,该机构解释称,这些公司为提高盈利能力,正在考虑扩大自有品牌机型的比重,并采用低规格的存储器半导体和核心数较少的中央处理器(CPU)。
智能手机市场也在针对内存价格暴涨采取多样化的应对措施。部分中小型智能手机制造商为减轻成本负担,不仅转向低规格内存,甚至开始选用再生内存。
IT媒体TechRadar近日预测,今年智能手机市场中,经过翻新工艺处理的内存使用比例将达到3%至4%,并预计明年这一比例将扩大至7%至9%。这主要是由于内存价格飙升所致。数据显示,在低端智能手机的零部件成本中,内存所占比例已从去年第三季度的20%升至目前的54%。
在AI半导体市场,为应对高带宽内存(HBM)供应短缺并降低成本,正出现一些变化。 英特尔在上月发布的推理加速器“GPU D系列”中,放弃了HBM,转而采用了主要应用于智能手机的低功耗DRAM——LPDDR5X。高通也在其推理加速器“AI200”中采用了LPDDR。两家公司均将重点放在以相对较低的成本和功耗来确保大容量内存上。
另一方面,有观点认为,随着SamsungElectronics(005930)和SK hynix(000660) 等内存供应商将重心转向AI领域的高附加值产品,PC通用DRAM的供应能力可能会进一步受限。在PC和智能手机制造商因价格压力而减少内存采购之际,供应商们正将产品结构调整为需求相对稳健的AI服务器用DRAM和低功耗DRAM等。
三星电子在上月公布的第三季度财报中表示,将扩大HBM4、服务器用DRAM以及企业级SSD的销售。SK海力士也计划提高第六代10纳米级(1c)工艺的占比,并增加基于AI服务器用DDR5和LPDDR5的SOCAMM供应。
12日,市场调研机构TrendForce表示:“持续一年多的内存价格上涨,正使消费电子行业面临日益沉重的成本压力”,并称“部分制造商已开始调整内存采购计划,并与内存供应商就2027年的产品配置及供应需求重新进行谈判”。
据解释,制造商们原本预计随着人工智能(AI)投资的扩大,PC用DRAM价格将持续上涨,因此采购量超过了实际需求,但受销售萎缩影响,库存正在增加。TrendForce称,PC厂商们也正在下调2027年第一季度消费级固态硬盘(SSD)的采购计划。
同时,该机构解释称,这些公司为提高盈利能力,正在考虑扩大自有品牌机型的比重,并采用低规格的存储器半导体和核心数较少的中央处理器(CPU)。
智能手机市场也在针对内存价格暴涨采取多样化的应对措施。部分中小型智能手机制造商为减轻成本负担,不仅转向低规格内存,甚至开始选用再生内存。
IT媒体TechRadar近日预测,今年智能手机市场中,经过翻新工艺处理的内存使用比例将达到3%至4%,并预计明年这一比例将扩大至7%至9%。这主要是由于内存价格飙升所致。数据显示,在低端智能手机的零部件成本中,内存所占比例已从去年第三季度的20%升至目前的54%。
在AI半导体市场,为应对高带宽内存(HBM)供应短缺并降低成本,正出现一些变化。 英特尔在上月发布的推理加速器“GPU D系列”中,放弃了HBM,转而采用了主要应用于智能手机的低功耗DRAM——LPDDR5X。高通也在其推理加速器“AI200”中采用了LPDDR。两家公司均将重点放在以相对较低的成本和功耗来确保大容量内存上。
另一方面,有观点认为,随着SamsungElectronics(005930)和SK hynix(000660) 等内存供应商将重心转向AI领域的高附加值产品,PC通用DRAM的供应能力可能会进一步受限。在PC和智能手机制造商因价格压力而减少内存采购之际,供应商们正将产品结构调整为需求相对稳健的AI服务器用DRAM和低功耗DRAM等。
三星电子在上月公布的第三季度财报中表示,将扩大HBM4、服务器用DRAM以及企业级SSD的销售。SK海力士也计划提高第六代10纳米级(1c)工艺的占比,并增加基于AI服务器用DDR5和LPDDR5的SOCAMM供应。