[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 受人工智能（AI）数据中心扩建的推动，DRAM在全球内存市场中的占比预计将进一步扩大。随着高带宽内存（HBM）产能扩张导致普通DRAM供应受限，有观点认为三星电子和SK海力士的“超级周期”可能会长期持续。

据全球投行瑞银（UBS）10日透露，预计明年AI数据中心内存支出中DRAM所占比例将达到74%，较今年68%的预测值提高6个百分点。 预计服务器用DDR的占比将从55%扩大至57%，HBM的占比将从13%扩大至17%。另一方面，NAND闪存的占比预计将从32%缩减至26%。

值得关注的是，不仅HBM，服务器用DDR的支出占比也在增加。预计明年DDR的占比将达到57%，是HBM（17%）的3倍以上。这是因为，除了搭载在AI加速器上的HBM之外，用于中央处理器（CPU）服务器的大容量DDR5需求也在增加。

这是因为在AI数据中心中，相较于数据存储，计算过程中快速读取和处理数据的能力正变得愈发重要。NAND主要用于大容量数据存储，而DRAM则支持CPU和图形处理单元（GPU）即时调用计算所需的数据。特别是随着AI模型规模的扩大和实时推理服务的普及，对高速、大容量内存的需求正在增长。 虽然NAND也受益于AI数据存储需求，但DRAM的支出增长速度更快。

此外，HBM产量的扩大正制约着普通DRAM的供应。由于HBM与普通DRAM共享生产设备，其生产比重越高，分配给服务器用DDR等产品的生产能力就可能越少。三星电子预测，在整个行业的DRAM晶圆生产能力中，HBM所占比例将从今年的约20%扩大到明年的30%左右。 随着需求增长与供应受限相互交织，DRAM供需紧张的态势很可能持续。

市场调研机构TrendForce在近期报告中指出，关于明年的DRAM市场，“需求增长势头将超过供应扩大的速度”。另一方面，预计NAND闪存随着下半年新产能的投产，供应状况将相对改善。

三星电子和SK海力士正顺应这一变化，着力发展高附加值的DRAM业务。三星电子在扩大HBM4供应的同时，正加强高速DDR5等服务器产品的销售。在第三季度DRAM平均售价（ASP）较上一季度上涨约20%的背景下，预计该公司将通过扩大高附加值产品的占比，加快改善盈利能力。

SK海力士正依托HBM的竞争力，扩大服务器用DDR5的供应。该公司在第三季度财报发布会上解释称，服务器用DDR5销量的增长带动了DRAM业绩。公司计划通过向下一代1c工艺转型，增加DDR5以及低功耗服务器内存SOCAMM等高附加值产品的供应。

业内分析认为，随着HBM和服务器用DRAM的同步增长，过去受PC和智能手机需求左右内存行业格局正在发生变化。鉴于新设备投资转化为实际供应增长存在时间差，供应商占优的市场环境预计在短期内仍将持续。

一位业内人士表示：“在HBM产量扩大限制普通DRAM供应的情况下，高附加值产品占比高的三星电子和SK海力士的业绩改善趋势，短期内很可能持续下去。”