[E-DailyKIM JUNG YOU 记者] 尽管中国创新存储（CXMT）面临20%的极低良率这一严峻生产困境，仍决定强行推进下一代高带宽内存（HBM3E）的量产。即便在美国对华半导体限制导致人工智能（AI）内存供需紧张的情况下，仍能窥见中国政府为培育国产AI处理器生态系统所展现出的迫切心态。
图片来源：路透社
28日（当地时间），路透社援引多位知情人士的消息报道称，尽管良率仅为20%左右，但创新存储（CXMT）已着手准备量产第五代高带宽内存（HBM）产品HBM3E。这是因为受美国政府对尖端技术的管控影响，该公司无法获取英伟达等海外AI半导体产品。
据路透社引述的消息人士称，CXMT已向华为以及康柏瑞、MetaX、伊卢巴塔CoreX等国内主要无晶圆厂（半导体设计）企业提供了HBM3E样品。据悉，该公司计划在未来两个月内启动小规模试生产。
据悉，目前CXMT的良率仅为20%至30%左右。这一数值远低于行业领军企业韩国SK hynix(000660)的良率（约70%）。低良率必然导致废品率或返工率上升，从而急剧推高制造单价。
尽管如此，鉴于中国AI芯片制造商正因严重的内存短缺而面临生产中断，CXMT似乎也打算不惜承受巨额损失，强行推进生产。实际上，据外媒报道，近期中国AI半导体企业已以内存采购成本上涨为由，将AI芯片价格上调了约20%至50%。
据评估，CXMT开发的HBM3E的实际性能并非与SK海力士的同级产品相当，而是接近上一代产品HBM3的水平。
据全球市场研究机构Counterpoint Research数据显示，今年第二季度全球HBM销售额市场份额方面，SK海力士以50%的份额位居榜首，三星电子（33%）和美国美光科技（18%）紧随其后。
另一方面，在全球普通DRAM市场排名第四（市场份额10%）的CXMT，正因受美国对尖端设备出口管制的影响，在缩小与领先企业的差距方面举步维艰。
路透社指出：“考虑到三星电子已着手扩大HBM4量产并开始出货HBM4E样品，分析认为CXMT的商用HBM技术水平与全球领先企业相比至少落后一代以上。”
28日（当地时间），路透社援引多位知情人士的消息报道称，尽管良率仅为20%左右，但创新存储（CXMT）已着手准备量产第五代高带宽内存（HBM）产品HBM3E。这是因为受美国政府对尖端技术的管控影响，该公司无法获取英伟达等海外AI半导体产品。
据路透社引述的消息人士称，CXMT已向华为以及康柏瑞、MetaX、伊卢巴塔CoreX等国内主要无晶圆厂（半导体设计）企业提供了HBM3E样品。据悉，该公司计划在未来两个月内启动小规模试生产。
据悉，目前CXMT的良率仅为20%至30%左右。这一数值远低于行业领军企业韩国SK hynix(000660)的良率（约70%）。低良率必然导致废品率或返工率上升，从而急剧推高制造单价。
尽管如此，鉴于中国AI芯片制造商正因严重的内存短缺而面临生产中断，CXMT似乎也打算不惜承受巨额损失，强行推进生产。实际上，据外媒报道，近期中国AI半导体企业已以内存采购成本上涨为由，将AI芯片价格上调了约20%至50%。
据评估，CXMT开发的HBM3E的实际性能并非与SK海力士的同级产品相当，而是接近上一代产品HBM3的水平。
据全球市场研究机构Counterpoint Research数据显示，今年第二季度全球HBM销售额市场份额方面，SK海力士以50%的份额位居榜首，三星电子（33%）和美国美光科技（18%）紧随其后。
另一方面，在全球普通DRAM市场排名第四（市场份额10%）的CXMT，正因受美国对尖端设备出口管制的影响，在缩小与领先企业的差距方面举步维艰。
路透社指出：“考虑到三星电子已着手扩大HBM4量产并开始出货HBM4E样品，分析认为CXMT的商用HBM技术水平与全球领先企业相比至少落后一代以上。”
