企业·产业

AI芯片“各自为政”时代终结……开发、生产、封装等各领域全面合作不断扩大

Applied将对Besi的持股比例增至20%……加强在尖端封装领域的合作 英伟达联合开发HBM……为推进AI芯片升级,扩大生态系统合作 三星、SK、台积电等企业齐聚EPIC中心……技术联盟全面扩展

SOYEON KIM
2026-10-27 15:59:57
[E-DailySOYEON KIM 记者] 在人工智能(AI)半导体市场竞争日益激烈的背景下,企业间的技术合作正变得愈发紧密。合作方式也呈现出多样化趋势,不仅限于存储器制造商与客户之间的联合开发,还包括半导体设备厂商之间的股权投资、封装基板生产设施的共同投资等。随着新一代高带宽内存(HBM)和先进封装技术的重要性日益凸显,业界认为,决定竞争力的将不再仅仅是单个企业的技术实力,而是整个供应链的合作能力,这一判断推动了上述变化。

据27日业界消息,美国半导体设备厂商应用材料公司(Applied Materials)决定将所持荷兰封装设备厂商BESI的股份从原有的9%增持至约20%。这表明,为顺应AI半导体高性能化趋势并抢占核心技术先机,设备厂商之间的合作正在加强。

此次增持股份是技术合作转化为资本投资的典型案例。两家公司自2020年起便开始共同开发混合键合技术,并于本月初将合作范围扩展至下一代三维半导体集成以及存储器与逻辑半导体集成领域。

混合键合是一种将半导体芯片以微小间距直接连接起来,从而提高数据处理速度和能效的高端封装技术。

三星电子、SK海力士和美光等三大存储厂商正与英伟达合作,共同开发定制版HBM4E——“NVHBM”。NVHBM预计将应用于英伟达的下一代图形处理器(GPU)和NVLink融合平台等。

英伟达于今年8月发布NVHBM时表示,与标准HBM4E相比,其内存带宽最高可提升30%,功耗则可降低15%。这是从AI芯片设计初期就与内存制造商合作以优化性能的方式。
英伟达发布的下一代高带宽内存(HBM)技术——NVHBM。(图片来源:英伟达博客)

与此同时,英伟达还在推进针对封装基板的联合投资。三星电机与英伟达于21日宣布,将共同投资建设位于世宗和釜山的专用生产设施,用于生产AI半导体封装基板,并签署了多年期供货协议。这是英伟达为确保半导体封装基板的稳定供应,直接投资扩大三星电机生产能力的举措。

这一举措源于AI半导体性能竞争已从芯片设计和制造延伸至内存、封装、基板等整个供应链。随着计算性能、内存带宽、芯片间互联及散热管理等因素的重要性日益凸显,相关企业从开发初期就必须共同优化技术的必要性也随之增强。

半导体行业的联合研发体系也在不断演进。 应用材料公司(Applied Materials)投资约50亿美元(约6.6万亿韩元),在美国硅谷建立了半导体研发设施——EPIC中心。以往的做法是分别开发半导体材料、制造设备和工艺技术,然后进行整合;而在EPIC中心,半导体制造商和设备厂商从开发初期就开始共同参与研究。

三星电子、SK海力士、台积电、英特尔、美光等主要半导体企业均参与了EPIC中心。各企业通过投入自身的技术研发项目和工程师,合作开发下一代工艺和制造设备。

一位业内人士表示:“虽然存储器制造商的自主技术研发依然重要,但与客户及设备厂商的合作对产品性能影响巨大”,并指出:“未来,合作将超越半导体联合开发,扩展至生产设施投资和长期供应链建设等领域。”

应用材料公司“EPIC中心”(图片来源:应用材料公司)

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