[E-DailySIN SOO-JUNG 记者] 受中国技术追赶担忧影响，美国存储半导体股大幅下挫。中国最大的DRAM制造商创信存储科技（CXMT）宣布在下一代存储技术研发方面取得进展，这凸显了全球半导体市场竞争可能加剧的趋势。在三星电子和SK海力士股价同步下跌之际，中国存储技术自主化对韩国半导体企业盈利能力的影响也备受关注。

12日（当地时间），在纽约股市，美国存储半导体企业美光科技收盘报989.04美元，较前一交易日下跌3.88%。 费城半导体指数下跌2.67%，收于12236.92点，跌至三周以来的最低水平。闪迪、希捷科技、西部数据等存储相关企业的股价也表现疲软。

压制半导体股的因素之一是中国CXMT的技术开发消息。 据《南华早报》（SCMP）报道，CXMT总裁赵干伟近日在上海举办的行业活动中表示，在下一代DRAM结构“4F²（4F平方）”技术的研发方面取得了重要进展。他还宣布计划在今年年底前推出采用该技术的服务器级DDR5内存产品。

4F²是一种用于缩小半导体中存储数据的存储单元面积的技术。与目前商用DRAM主要采用的6F²结构相比，该技术可将存储单元面积缩小约33%，有利于在相同空间内存储更多数据。CXMT解释称，通过自主研发的垂直型晶体管结构，改善了电流泄漏问题并提高了存储密度。

值得注意的是，三星电子和SK海力士也在开发相同的技术。SK海力士去年公布了4F²技术开发路线图。据悉，三星电子也计划以2028年为目标，推进采用该结构的下一代DRAM量产。如果CXMT能按计划于年内推出产品，与韩国企业的技术竞争可能会进一步加剧。

韩国半导体股已受到影响。12日，韩国股市中，三星电子下跌4.39%，SK海力士下跌4.52%。分析认为，这是中国企业技术追赶的消息，与高利率压力以及人工智能（AI）相关股票的获利了结行情等因素共同作用的结果。

不过，CXMT的技术发布并不意味着其已具备实际量产竞争力。该公司尚未公开下一代产品的具体性能、生产良率及供应规模等信息。开发新技术与建立稳定的量产体系是两码事。此次正在开发的服务器用DDR5内存，也与三星电子和SK海力士主打的高带宽内存（HBM）是不同的产品。

尽管如此，市场普遍认为，中国的技术追赶已成为韩国内存行业的中长期变数。CXMT上月宣布已启动第五代DRAM制造平台的量产，正不断扩大生产能力。若未来在服务器用DRAM市场增加供应，可能会对三星电子和SK海力士的价格竞争力及盈利能力造成压力。不过，实际影响预计将取决于CXMT的量产能力及其能否成功争取到客户。