[E-DailySOYEON KIM 宋在民 记者] 三星电子单季度营业利润就突破了100兆。这是韩国企业首次实现这一成就，人工智能（AI）超级周期正在创造新的历史。特别是预计在即将到来的第四季度以及明年，这一强劲的业绩势头将持续，市场普遍预测内存供需失衡的局面仍将延续。

8日，三星电子公告称，按合并报表标准计算，今年第三季度营业利润暂定为107.4万亿韩元。这一数字较去年同期暴增782.50%，较上一季度增长20.01%。第三季度销售额为195万亿韩元，较去年同期增长126.59%，较上一季度增长13.70%。

此次营业利润略高于市场预期。三星电子第三季度营业利润的共识预期（证券公司预测平均值）为106.0029万亿韩元，实际业绩超出该数值1.3%。销售额则未达到共识预期（200.2847万亿韩元）。

自去年第四季度创下销售额93.8万亿韩元、营业利润20.1万亿韩元的历史最高纪录以来，三星电子已连续四个季度刷新销售额和营业利润纪录。本季度营业利润接近去年全年营业利润43.6万亿韩元的2.5倍。

◇ AI内存需求持续……HBM4供应扩大
这一创纪录的业绩源于AI内存需求的持续增长。本季度，半导体（DS）部门的内存事业部预计再次成为推动全公司业绩增长的主力。随着全球AI基础设施霸权之争持续，内存需求将延续至明年、后年的预测愈发有力。

业绩的核心在于高带宽内存（HBM），以及通用DRAM、NAND闪存等。特别是随着AI从训练阶段转向推理阶段，企业级SSD的NAND需求也随之爆发式增长，正成为业绩的“摇钱树”。据估计，在DS部门内部，内存事业部预计将实现80万亿韩元的营业利润，NAND事业部则接近30万亿韩元。

随着AI内存供应短缺的长期化，预计明年HBM的平均销售价格将跃升至今年水平的两倍以上。由于HBM产能扩张甚至侵蚀了通用DRAM的生产能力，预计DRAM价格也将延续上涨趋势。

TrendForce预测，明年HBM的平均销售价格（Blended ASP）将较今年飙升121%，达到今年水平的两倍以上。预计第四季度通用DRAM的合约价格将较上一季度上涨10%至15%，NAND闪存则将上涨15%至20%。

三星电子正在今年下半年全面启动HBM4的供应。随着HBM4被搭载于英伟达的下一代AI加速器“Vera Rubin”中，相关需求预计也将增加。随着下一代产品HBM4在供应总量中的占比扩大，预计将对盈利能力产生积极影响。

◇ 供应商优势持续……预计明年营业利润将达554万亿韩元
单季超过100兆韩元的纪录预计今后仍将持续。市场普遍认为，随着AI内存供应商主导地位的长期化，韩国内存企业的价格议价能力和中长期业绩可见度均有所提升。这是因为包括三星电子在内的内存企业均签订了3至5年的中长期内存供应合同。

特别是，存储器领域长期合同日益增多的趋势，从确保业绩可见性的角度来看也是积极的。三星电子计划通过建设平泽P5以及龙仁半导体等项目来扩大存储器供应。通过存储器长期合同，已有效防范了因供应急剧扩大而导致存储器价格下跌周期重演的风险，这一因素也有助于缓解市场担忧。

市场普遍预计，三星电子明年的全年营业利润将达到554.1万亿韩元，销售额将达到957万亿韩元。预计今年全年营业利润将达到369.7万亿韩元，同比增长49.8%以上。

三星电子将于29日公布第三季度财报。届时将披露各业务部门的具体业绩。为加强与投资者的沟通并增进理解，三星电子将提前收集关于经营现状等方面的咨询问题，并在财报电话会议上就股东高度关注的事项进行答复。