[E-DailyKim Kyung-eun 记者] 有预测称,明年SamsungElectronics(005930)的高带宽内存(HBM)售价将比今年上涨100%以上。分析指出,随着第六代HBM4的销售额占比从今年的40%扩大到明年的80%,HBM产能的扩张将挤占普通DRAM的生产能力,导致内存供应短缺状况长期化。
首尔瑞草区三星电子瑞草办公楼。(照片=李英勋 记者)
KB证券研究本部部长金东元1日在报告中表示:“在当前的供应结构下,普通DRAM若不出现供应短缺反而会令人感到奇怪。”
三星电子近日在“2026韩国高端产品周”上预测,HBM在全球DRAM总晶圆产能中的占比将在2027年超过三分之一。预计扣除HBM后的普通DRAM产能占比将从去年的73%降至今年的65%,明年进一步降至59%。
HBM的晶圆消耗量是普通DRAM的3倍以上。预计即使到明年年底,包括三星电子在内的三大DRAM厂商的HBM晶圆投入占比达到整体DRAM的30%,但按存储容量计算,HBM的供应占比也仅占整体DRAM的13%。这意味着HBM产量越高,可用于生产普通DRAM的晶圆就越少。
金部门负责人表示:“三星电子的HBM4销售额占比预计将从2026年的40%扩大至2027年的80%,翻一番”,并称“据此推测,2027年HBM售价将较上年上涨100%以上”。
受业绩改善推动,市场还提出了扩大股东回报的可能性。KB证券预计,若假设2024年至2026年用于股东回报的剩余资金为110万亿韩元,则第三季度可派发30万亿韩元、第四季度40万亿韩元现金股息,总计70万亿韩元,并可进行40万亿韩元规模的回购及注销自有股份。
预计今年下半年三星电子的季度平均营业利润将超过100兆韩元。全年营业利润预测值分别为今年368兆韩元、明年555兆韩元。 在下一期三年股东回报政策中,若假设将自由现金流(FCF)的50%用于回报股东,预计股东回报规模将从最近三年的140兆韩元增至下一期三年的600兆韩元,增幅超过4倍。
KB证券研究本部部长金东元1日在报告中表示:“在当前的供应结构下,普通DRAM若不出现供应短缺反而会令人感到奇怪。”
三星电子近日在“2026韩国高端产品周”上预测,HBM在全球DRAM总晶圆产能中的占比将在2027年超过三分之一。预计扣除HBM后的普通DRAM产能占比将从去年的73%降至今年的65%,明年进一步降至59%。
HBM的晶圆消耗量是普通DRAM的3倍以上。预计即使到明年年底,包括三星电子在内的三大DRAM厂商的HBM晶圆投入占比达到整体DRAM的30%,但按存储容量计算,HBM的供应占比也仅占整体DRAM的13%。这意味着HBM产量越高,可用于生产普通DRAM的晶圆就越少。
金部门负责人表示:“三星电子的HBM4销售额占比预计将从2026年的40%扩大至2027年的80%,翻一番”,并称“据此推测,2027年HBM售价将较上年上涨100%以上”。
受业绩改善推动,市场还提出了扩大股东回报的可能性。KB证券预计,若假设2024年至2026年用于股东回报的剩余资金为110万亿韩元,则第三季度可派发30万亿韩元、第四季度40万亿韩元现金股息,总计70万亿韩元,并可进行40万亿韩元规模的回购及注销自有股份。
预计今年下半年三星电子的季度平均营业利润将超过100兆韩元。全年营业利润预测值分别为今年368兆韩元、明年555兆韩元。 在下一期三年股东回报政策中,若假设将自由现金流(FCF)的50%用于回报股东,预计股东回报规模将从最近三年的140兆韩元增至下一期三年的600兆韩元,增幅超过4倍。