[E-DailyKim Kyung-eun 记者] 有预测称,SamsungElectronics(005930)的高带宽内存(HBM)市场份额将在今年第四季度接近40%。分析认为,随着第六代HBM4销量的扩大以及代工前沿工艺良率的快速提升,内存和代工业务将同时进入增长轨道。
三星电子瑞草总部全景。(照片=李永勋 记者)
KB证券研究本部部长金东元11日在报告中指出,三星电子是“唯一一家不仅供应单一内存产品,还具备涵盖HBM、代工及封装的一站式解决方案供应能力的企业”,并表示“未来的发展空间将进一步扩大”。
据KB证券称,三星电子第二季度HBM市场份额达到33%,预计第四季度将接近40%水平。第三季度HBM4销售额较上一季度增长3倍以上,预计下半年HBM4在HBM总销售额中的占比也将超过60%。
预计在下一代HBM领域,其竞争力也将得以延续。三星电子在HBM4正式量产后,正向主要客户供应HBM4E样品。据悉,该公司已确立采用1c核心芯片和2纳米(nm)基底芯片的HBM5架构,并已制定包括下一代产品zHBM在内的具体产品路线图。
特别是zHBM,被评价为在改善发热问题的同时大幅提升了数据传输带宽的产品。分析指出,三星电子不仅能够自主供应从基底芯片到层间、封装乃至HBM的全部环节,还能通过与台积电(TSMC)的战略合作进行供应,从而为客户拓宽选择空间。KB证券预计,这种一站式解决方案的供应能力将扩大三星电子HBM业务的增长机遇。
此前一直拖累业绩的代工业务,预计也将进入复苏阶段。三星电子的4纳米工艺良率已稳定在80%以上,2纳米环栅极(GAA)工艺的良率据推测也已快速提升至70%以上。
据此,受今年第三季度起4纳米LPU量产全面展开及良率稳定化的推动,代工业务有望实现扭亏为盈。4纳米良率已实质上接近可与台积电竞争的水平,2纳米良率也从年初的不足50%提升至70%以上,预计年内将成功吸引美国大型客户。
代工良率的提升还可与HBM业务产生协同效应。分析指出,随着HBM市场份额的扩大与尖端代工工艺良率的提升相辅相成,三星电子将能够摆脱仅供应存储产品的结构,强化从HBM设计、生产到代工及封装的一体化供应业务模式。
金本部长表示:“基于客户定制规格的定制化HBM,有望在HBM4(预计将大幅提价)之后实现进一步提价”,并称:“因此,预计未来HBM的供应主导权将掌握在作为卖方的存储器厂商手中。”
KB证券研究本部部长金东元11日在报告中指出,三星电子是“唯一一家不仅供应单一内存产品,还具备涵盖HBM、代工及封装的一站式解决方案供应能力的企业”,并表示“未来的发展空间将进一步扩大”。
据KB证券称,三星电子第二季度HBM市场份额达到33%,预计第四季度将接近40%水平。第三季度HBM4销售额较上一季度增长3倍以上,预计下半年HBM4在HBM总销售额中的占比也将超过60%。
预计在下一代HBM领域,其竞争力也将得以延续。三星电子在HBM4正式量产后,正向主要客户供应HBM4E样品。据悉,该公司已确立采用1c核心芯片和2纳米(nm)基底芯片的HBM5架构,并已制定包括下一代产品zHBM在内的具体产品路线图。
特别是zHBM,被评价为在改善发热问题的同时大幅提升了数据传输带宽的产品。分析指出,三星电子不仅能够自主供应从基底芯片到层间、封装乃至HBM的全部环节,还能通过与台积电(TSMC)的战略合作进行供应,从而为客户拓宽选择空间。KB证券预计,这种一站式解决方案的供应能力将扩大三星电子HBM业务的增长机遇。
此前一直拖累业绩的代工业务,预计也将进入复苏阶段。三星电子的4纳米工艺良率已稳定在80%以上,2纳米环栅极(GAA)工艺的良率据推测也已快速提升至70%以上。
据此,受今年第三季度起4纳米LPU量产全面展开及良率稳定化的推动,代工业务有望实现扭亏为盈。4纳米良率已实质上接近可与台积电竞争的水平,2纳米良率也从年初的不足50%提升至70%以上,预计年内将成功吸引美国大型客户。
代工良率的提升还可与HBM业务产生协同效应。分析指出,随着HBM市场份额的扩大与尖端代工工艺良率的提升相辅相成,三星电子将能够摆脱仅供应存储产品的结构,强化从HBM设计、生产到代工及封装的一体化供应业务模式。
金本部长表示:“基于客户定制规格的定制化HBM,有望在HBM4(预计将大幅提价)之后实现进一步提价”,并称:“因此,预计未来HBM的供应主导权将掌握在作为卖方的存储器厂商手中。”