[E-DailyJAEMIN SONG 记者] DB Hi-Tech已完成基于8英寸晶圆的1200伏（V）碳化硅（SiC）功率半导体工艺的可靠性验证。该公司将支持客户的产品开发，并于2027年建立量产体系，以此进军下一代功率半导体代工市场。

DB Hi-Tech表示，已确保8英寸1200V SiC MOSFET工艺的可靠性，并将向客户提供工艺设计套件（PDK）。

SiC是一种在高温、高压环境下比传统硅材料具有更低功耗的材料，广泛应用于电动汽车、可再生能源设备及工业电力设备等领域。目前虽主要使用6英寸晶圆，但行业正逐步向8英寸工艺转型，该工艺可从单片晶圆上生产更多芯片，从而降低制造成本。

DB Hi-Tech已开发出可在8英寸晶圆上生产大功率MOSFET的工艺。该公司表示，已全球首创构建了涵盖从设计、制造到电气特性评估、可靠性验证全流程支持的8英寸1200V SiC代工一体化工艺。

为降低客户的设计门槛，该公司还提供自主研发的第一代和第二代1200V SiC MOSFET PDK。PDK中包含半导体设计所需的工艺规则、器件特性以及设计和验证数据等。

客户可利用PDK设计符合DB Hi-Tech工艺的产品，并加快原型机的制造进程。DB Hi-Tech预计，这将降低初期开发负担，使产品开发周期缩短1年以上。

目前提供的第二代工艺在栅极电压18V的条件下，实现了2.5mΩ·㎠以下的电阻率以及3V以上的阈值电压。此外，还完成了验证功率半导体能否在高压环境下稳定运行的可靠性验证。

公司计划于今年11月发布性能更强的第三代PDK。第三代工艺的目标是在相同的栅极电压条件下，将电阻率降低至2.3mΩ·㎠以下。电阻率越低，越有利于减少功率损耗和发热。

针对短路时器件在不损坏的情况下能承受的时间——短路耐受时间（SCWT），目前正以2.5微秒（μs）以上为目标进行验证。验证完成后，计划向客户提供第三代PDK。

DB Hi-Tech计划在今年第三季度优先向长期合作的现有客户提供该工艺，并从2027年第二季度起将服务范围扩大至所有客户。公司目标是在同年建立8英寸SiC产品的正式量产体系。

DB Hi-Tech相关人士表示：“通过此次验证，我们已掌握8英寸SiC代工服务所需的核心工艺技术和量产基础，”并称：“我们将为2027年的量产做好万全准备，以提升下一代功率半导体代工的竞争力。”