企业·产业

时隔10年的事后处罚……在此期间,CXMT已全面抄袭了K芯片的核心技术

[与专家共同撰写的特别报告]② 窃取CXMT技术,时隔10年跻身DRAM全球第四……产业安全面临挑战 仅靠核心人才流动即可缩短开发周期……必须留住人才 立即阻止损害……有必要实施“起诉前禁止使用产业技术”

SOYEON KIM
2026-09-02 23:50:03
[孙承佑 律村律师事务所顾问(首尔大学教授)、E-DailySOYEON KIM 记者] 据市场调研机构Omdia数据显示,2022年DRAM市场份额仅为1%左右的中国最大存储企业创信存储(CXMT),其市场份额在今年第一季度跃升至7.6%。时隔四年多,其排名已升至全球第四位。不知不觉间,它已迅速崛起为紧追三星电子和SK海力士的黑马。

此次CXMT技术外泄事件的教训非常明确:国家核心技术的外流,绝不仅仅是窃取一家企业的商业秘密那么简单。这是将我国产业历经巨大成本和反复试错才获得的“未来时间”拱手让给竞争对手的行为,甚至会蚕食政府大规模半导体投资所带来的成效。

◇“偷技术7年就够了?”……必须从遏制技术外泄的预期收益入手

根据检方调查和法庭证词,CXMT在成立后的2016年9月,通过引进三星电子的核心研究员,获取了三星的18纳米级DRAM PRP。PRP是一种包含约600个步骤的DRAM制造工艺顺序、设备及条件等内容的“半导体制造配方”。 该研究员在跳槽前,将核心信息手抄到12页的笔记中带出公司。因本案被起诉的前三星高管和员工,于今年4月在一审中被判处有期徒刑7年。
CXMT(图片来源:AFP)

CXMT的人才与技术获取并不局限于韩国。该公司还获得了源自德国奇蒙达的DRAM专利。 该公司还从奇梦达、英飞凌、台湾存储器行业以及美国美光公司引进了人才。必须区分正常的人才招聘与专利获取。问题在于,当人才连同前公司的商业秘密和核心技术一同转移时。在尖端产业中,仅凭核心人才的流动就足以大幅缩短开发周期。

美国也曾发生过类似事件。即美光台湾分公司的一名员工跳槽至台湾联电(UMC)时,泄露了DRAM相关的商业秘密。 一名员工在离职前下载了美光约900份机密资料,并将其存储在U盘和个人云端中;联华电子曾试图将这些资料用于与中国国有企业福建晋华(JHICC)共同开发DRAM技术。联华电子承认了窃取商业秘密的指控并缴纳了6000万美元罚款,但福建晋华在刑事审判中被判无罪。

韩国显示器产业也曾有过类似经历。2012年,三星和LG正在开发的AMOLED等核心技术被证实通过检测设备合作企业的员工泄露给了中国企业;最近,LG显示器的前员工因泄露广州工厂的设计图纸和工艺信息,在一审中被判处有期徒刑。

◇要防止技术外泄,必须守住“人、技术、时间”

我们该怎么做?应对技术外泄也必须摆脱事后惩处为主的模式,转向以“预防”为核心的产业安全。要为核心人才创造继续在韩国国内进行研究的理由,让非法外泄者付出的代价远大于所获利益,并在外泄的技术被竞争对手用于产品之前将其扼杀在萌芽状态。

首先必须颠覆对技术泄露的经济计算方式。在此次CXMT案件中,判处的7年有期徒刑是否具备与损失规模相称的足够威慑力,尚存疑问。 亟需建立一种“与损失规模挂钩”的处罚体系,在量刑和经济制裁中不仅要考虑研发费用,还要综合考量△外泄技术的经济价值、△竞争对手因此节省的开发周期和成本、△市场份额下滑导致的损失、△犯罪分子获取的利益等因素。被查获时需承担的预期损失,必须远大于窃取技术所能获得的预期收益。

即使加强事后处罚,也无法挽回已经外流的技术。当务之急是“立即遏制损害扩散”。一旦技术在海外生产线投入应用,即便数年后判处重刑,也很难恢复原状。 有必要在《产业技术保护法》中引入“起诉前产业技术使用禁止·保全令”。即在调查过程中,若已查明存在非法获取或向海外泄露产业技术的嫌疑,且存在难以挽回的损失风险时,检察官可向法院申请保全令。法院经严格审查后,应能暂时禁止该技术的复制、转让和使用,甚至可勒令停止利用该技术生产的产品。
[E-Daily 记者 李美娜]

与此同时,还应创造让核心人才留在韩国从事研究的理由。现行《产业技术保护法》也将国家核心技术专业人才的离职管理及保密协议等规定为保护措施。然而,仅靠禁止兼业或保密义务无法留住优秀人才。

企业应扩大对核心研究人员的长期绩效奖金和股票奖励,并营造无需转任管理岗位也能持续成长的研发环境。 政府应将人才政策的范围从“培养”扩展至“留住核心人才”。还应为资深技术人员开辟“第二职业”路径,使他们能够在国内的大学、研究机构及核心零部件、材料和设备企业中延续经验和专业能力,而非流向海外竞争对手企业。必须将安全工作的出发点从对人的控制转变为对人的投资。

要营造让核心人才能够继续在韩国从事研究的环境,并对非法技术外泄行为施以远超其利益的惩罚。守护技术、人才和产业的时间——这正是产业安全的核心所在。

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