[eDailySOYEON KIM 记者] 随着“下一代封装”和“定制化内存”作为突破人工智能（AI）半导体性能瓶颈的关键而崭露头角，全球半导体生态系统的目光正聚焦台湾。将于下月2日开幕的“台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）”上，三星电子和SK海力士的主要高管将出席并发布内存创新战略。 英伟达、台积电、Meta等全球半导体企业也将齐聚一堂，公布针对AI时代的先进封装等异种集成技术路线图。

据31日业界消息，台湾SEMICON展会将于2日（当地时间）至4日在台湾台北南港展览中心举行。主要论坛和主题演讲将从当天开始。

SEMICON是由国际半导体设备与材料协会（SEMI）主办的全球半导体产业专业展会，在美国、台湾、韩国、日本、中国等主要半导体生产国举办。预计今年SEMICON台湾展将吸引来自65个国家的10万余名行业人士参会。1300家企业将设立4300多个展位，展示最新技术。 英伟达、Meta、台积电、美光、西门子、博通、联发科、Lam Research等全球半导体企业也将大规模参展。

以“改变未来”为主题举办的2026年台湾半导体展，将涵盖从晶圆制造到设备、材料、IC设计、系统应用及初创企业生态系统等半导体产业全产业链，并探讨AI半导体的未来。特别是依托以台积电为核心、集代工、后端工艺（OSAT）及先进封装生态系统于一体的台湾产业优势，该展会正吸引着全球企业的日益关注。

在存储器相关环节中，三星电子常务崔长锡与SK海力士副总裁金浩植将分别发表关于AI时代存储器创新战略的演讲。随着存储器作为决定AI性能的核心要素其重要性日益凸显，其地位已超越单纯的零部件，正升格为AI系统的核心基础设施。

崔常务将于1日以“通过3D集成驱动AI时代”为主题，介绍zHBM、zNAND-O及3D封装技术等。 zHBM是在将高带宽内存（HBM）部署在AI加速器（xPU）旁边的传统方式基础上更进一步，将HBM垂直堆叠在AI加速器顶部的技术。该技术采用直接在GPU上堆叠HBM的形式，旨在缩短AI加速器与内存之间的数据传输距离，从而提高带宽和能效。

zNAND-O是三星电子正在开发的新一代高性能NAND闪存解决方案。该产品利用现有V-NAND的垂直堆叠技术，并结合硅通孔（TSV）技术，将4层或8层半导体芯片进行3D封装而成。产品名称末尾的“-O”表示该产品专为设备端AI环境进行了优化。

随着AI产业的重心从训练转向推理，存储容量、带宽和能效的重要性也日益凸显。金副总裁指出，在AI普及推动存储需求激增的背景下，KV缓存和代理工作流正逐渐成为新的瓶颈。 该公司计划推出内存就近计算、虚拟HBM池、基于Compute Express Link（CXL）的连接内存以及长期AI内存编排等新一代内存技术。

内存厂商的角色也将超越单纯供应高性能产品的范畴，向与合作伙伴共同设计AI架构的方向拓展。 这是因为，将AI需要处理的海量数据和长期记忆高效地部署和迁移到HBM、CXL等多种内存中，从而降低功耗并提高运算速度的集成技术正变得越来越重要。在先进封装环节，SK海力士的杨承泽团队长将与台积电等全球企业共同以“面向AI时代的异构集成封装技术”为主题进行演讲。

除三星电子和SK海力士外，韩国其他企业也将陆续参展。三星电机首次参加台湾半导体展（SEMICON Taiwan），将介绍被视为AI半导体封装下一代解决方案的玻璃基板、封装基板以及先进封装技术等。三星电机去年引进了曾任英特尔半导体封装领域负责人的姜斗安副总裁，从而强化了相关业务能力。

韩美半导体将以AI半导体用HBM生产的核心设备——TC键合机为中心，展示其技术实力。此外，韩国多家中小型及中型设备企业也将共同参与韩国馆，设立展位，向全球客户展示其技术实力。