[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 中国最大的DRAM厂商创信存储科技（CXMT）借势内存超级周期，今年上半年营收增长近10倍。随着首次公开募股（IPO）筹集的资金与繁荣期赚取的现金相加，其产能扩张和尖端DRAM研发预计将加速推进。

据30日业界消息，CXMT今年上半年营收达1503.1亿元（约合30.8万亿韩元），同比激增873.6%。净利润为776.05亿元（约合15.9万亿韩元），扭转了去年上半年23.32亿元的亏损局面，实现盈利。 经营活动现金流达1312亿元（约合26.89万亿韩元），较上年同期增长了30倍以上。CXMT表示：“随着全球计算需求增长以及主要制造商调整产能分配，DRAM出现供应短缺和价格飙升，主要产品的毛利大幅增加。”

内存市场繁荣的红利不仅惠及韩国的三星电子和SK海力士，还增强了中国后起之秀的追赶能力。CXMT上月通过在上海证券交易所上市，包括超额配售选择权在内共筹集约14万亿韩元，计划将资金投入DRAM技术及生产设施的升级，以及下一代技术的研发。 根据半年度报告，CXMT目前正在开发第4、5代工艺技术平台及下一代封装技术等，其中第5代工艺正在进行客户认证。研发人员数量从去年同期的4655人大幅增加至7491人，增幅约为60.9%。

在扩大产能和产品升级方面，该公司同样表现得十分积极。路透社报道称：“一旦CXMT正在新建的上海和合肥工厂投产，其总产能将达到每月60万片以上，是目前的两倍。”路透社还报道称，CXMT已成功量产最新一代低功耗DRAM LPDDR6，该产品预计将搭载于小米的新款旗舰折叠屏手机中。 距离上一代产品LPDDR5量产还不到一年，便已进入下一代产品的量产阶段。特别是CXMT透露，已向客户发货LPDDR6样品，用于在移动设备、服务器及智能汽车等领域的测试，为应用场景的拓展留下了空间。这标志着CXMT已正式进军三星电子和SK海力士竞争的最新DRAM市场。 就在韩国企业削减旧款LPDDR产量之际，CXMT却正在扩大该市场的份额。

CXMT在存储领域的崛起，目前尚不会对韩国两大存储巨头构成直接威胁。因为产能扩建本身并不意味着技术成熟度和出货量的提升。此外，在高带宽内存（HBM）和最尖端DRAM领域，其技术与量产差距依然较大。不过，就通用内存而言，情况则有所不同。 若CXMT大量投放扩产产能，未来在内存行业下行周期中，可能加剧供应过剩和价格下跌。这是因为，随着中国智能手机和PC厂商加大采用国产内存的力度，其在中国市场蚕食韩国厂商份额的可能性将大幅增加。近期，高盛在关于中国半导体的研究报告中预测，到2028年，CXMT将满足中国国内DRAM需求量的50%。

一位业界相关人士表示：“虽然CXMT短期内难以在HBM或最尖端DRAM领域追赶韩国企业，但在通用DRAM领域，仅凭产能扩张就足以影响价格。”他还指出：“如果形成将通用产品所获利润重新投资于尖端工艺的结构，韩国企业就必须持续拉大技术差距。”