[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 随着美国美光放弃将一直被视为下一代DRAM核心技术的“4F²（4F平方）”单元结构投入商用，全球三大存储半导体厂商的技术开发战略正呈现分化态势。 与三星电子和SK海力士继续推进4F²研发不同，美光决定专注于现有工艺的优化以及三维（3D）DRAM。随着DRAM微缩技术逐渐接近物理极限，未来竞争格局预计将因技术选择的不同而发生变化。

据半导体业界和外媒26日报道，美光于21日（当地时间）在技术网络研讨会上公布了未来10年的存储技术路线图，并宣布不采用4F²技术。 美光总裁兼首席技术与产品官（CTPO）斯科特·德沃尔解释称，尽管已对该技术进行了20多年的研究，但鉴于工艺复杂性、成本上升以及微缩技术的根本性局限，公司决定不再推进其商业化。

4F²是一项理论上可将单个DRAM存储单元所占面积较现有6F²减少约33%的技术。由于通过缩小存储单元面积可提高集成度，该技术一直被视为下一代DRAM微缩的关键技术。然而，美光认为存储单元面积的缩小并不直接等同于集成度的实际提升。 决定DRAM集成度的不仅是晶体管结构，还包括存储电荷的电容器间距；即使应用4F²技术，制造成本和工艺复杂性仍可能增加。

德沃尔CTPO在网络研讨会的问答环节中评价称，关于4F²比6F²具有实质性优势的说法“多少有些像神话”。他解释道，虽然在过去的工艺中可以实现4F²，但会增加成本和复杂性，而且随着工艺日益先进，将面临物理微缩的极限。

美光则计划在改进现有6F²结构的同时，专注于晶圆键合和3D DRAM的开发。继目前量产的1γ工艺之后，预计将于2027年下半年启动下一代1δ DRAM的量产。 在后续的1ε工艺中，该公司计划引入将不同晶圆结合的键合技术，以提高集成度。从长远来看，计划转向将存储单元垂直堆叠的3D DRAM，但将综合考虑制造成本和性能等因素来决定商业化时间点。

另一方面，三星电子和SK海力士仍在持续开发4F²技术。三星电子正在研究利用垂直通道晶体管（VCT）缩小存储单元面积的技术，SK海力士也在推进基于垂直栅极（VG）的下一代存储单元结构的开发。虽然两家公司长期来看都在研究3D DRAM，但与美光不同，它们仍将4F²作为下一代技术的候选方案，这一点是两者的区别所在。

中国企业的追赶也是一个变数。中国创信存储技术（CXMT）曾宣布计划于今年年底推出基于4F²的服务器用DDR5内存模块。不过，具体的产品性能、量产良率以及制造成本竞争力目前尚未得到确认。

因此，下一代DRAM的竞争预计将超越单纯的电路微缩，演变为各技术在集成度提升效果和量产经济性方面的角逐。特别是，通过4F²技术缩小单元面积、改进现有工艺以及3D堆叠这三种方式中，哪种能实现更高的集成度和更低的生产成本，将成为关键所在。

三星电子近期公开确认将继续推进4F²技术的研发。三星电子设备解决方案（DS）部门首席技术官（CTO）宋在赫总裁于14日在半导体大展（SEDEX 2026）上，被问及是否在开发4F²技术时回答道：“是的。”对于具体的研发进展，他仅表示“正在努力”，未作更多说明。