[E-DailySOYEON KIM 崔五贤 记者] SK海力士开发总监安贤表示：“人工智能（AI）的需求才刚刚开始”，并强调：“AI技术正以人类前所未有的速度普及，技术的普及周期正变得越来越短。”他补充道：“相信大家会认同，通过AI的普及，内存产业将成为韩国的顶尖产业，这对韩国来说是一个绝佳的机会。”

14日，安社长在首尔COEX举行的2026年半导体博览会（SEDEX）主题演讲中发表了上述讲话。安社长以“人工智能（AI）时代，存储器创新的方向”为主题进行了主题演讲。

安社长依次介绍了全球大型科技企业在业绩电话会议中关于AI需求的相关表述。他指出，AI基础设施到2030年将增长约20倍，并预测从今年到2030年将实现年均109%的增长。

他表示：“数据中心和半导体产业也不能像过去那样一步步来”，并强调“内存的开发、标准化以及产能保障，必须在AI需求形成之前就提前做好准备”。

在高带宽内存（HBM）之后，他提出了“3D堆叠DRAM”作为下一代AI内存。安社长解释道：“目前最快的内存是SRAM”，“必须在SRAM和HBM之间开发出新的内存层级。”他进而指出，3D堆叠DRAM正是介于HBM和SRAM之间的下一代AI内存。

3D堆叠DRAM是将DRAM直接堆叠在图形处理器（GPU）上方，并通过硅通孔（TSV）连接，从而实现处理器与内存直接连接的产品。安社长表示：“如果能将处理器与内存直接连接，同时结合可提升带宽、降低功耗并具备热管理能力的先进封装技术，就有望发展成为一种全新的AI内存解决方案。” 据介绍，这是一种能够将现有带宽提升数十倍，从而解决AI模型性能瓶颈的新型内存层。

此外，他还预测在HBM之后，定制HBM（Custom HBM）所占的比重将进一步扩大。他表示：“定制HBM是在基片上根据客户需求进行设计的”，并称“SK海力士正通过与客户的协商，以核心技术为基础做好充分准备”。 随后他补充道：“在并行推进定制HBM和标准HBM的同时，从长远来看，定制HBM的应用范围将不断扩大。”

此外，SK海力士还将高带宽闪存（HBF）视为介于HBM与SSD之间的新型存储层，并予以关注。HBF与HBM一样，是利用硅通孔（TSV）技术和逻辑工艺的下一代NAND解决方案。安社长强调：“HBF的容量和带宽，恰恰更适合以大容量数据重复读取为核心的AI推理。”

安社长表示：“在AI时代，存储器已不再仅仅是零部件本身”，并指出：“为了推动AI的进一步成长与发展，我们正以HBM为起点，通过开发新型AI存储器来解决问题。”他接着补充道：“存储器已成为韩国最顶尖的产业，这可谓是一个绝佳的机遇。”