[E-DailyKim Kyung-eun 记者] 尽管SamsungElectronics(005930)正在将DRAM产能提升至两位数，但有预测认为通用DRAM的供应短缺反而会进一步加剧。这是因为新增产能的大部分都集中于高带宽内存（HBM）和服务器用大容量产品上。目前，服务器用DDR5从下单到交货最多需要1年时间，预计通用DRAM价格也将继续保持两位数的涨幅。

KB证券研究本部部长金东元22日在报告中指出：“以HBM为中心的DRAM产能重组，是一种既会引发通用DRAM供应短缺长期化，又会推动价格上涨的结构性变化。”

据KB证券称，以晶圆为单位计算，三星电子的月度DRAM产能预计今年和明年将分别同比增长14%和16%。但预计在整体DRAM产能中，HBM所占比例将从去年的27%扩大至今年的33%，明年进一步扩大至40%。相反，通用DRAM的占比预计将在同期从73%降至65%，再降至59%。

这意味着虽然整体DRAM产能不断增加，但通用DRAM的实际供应能力却在减少。这是因为HBM不仅比通用DRAM消耗更多的晶圆，而且新增产能也优先分配给HBM和服务器用大容量产品。KB证券预测，随着以HBM为中心的产能转型加速，通用DRAM的供应限制将进一步加剧，明年供应短缺的局面仍将结构性持续。

供应短缺在服务器用DRAM领域已表现得十分明显。据统计，截至9月，服务器用大容量DDR5的交货周期（从下单到交货所需的时间）已延长至最长52周。与正常市场6周的交货周期相比，延长了8倍以上。这是一种从下单到实际收货实际上需要1年的异常情况。

由于三星电子以与超大规模云服务商签订的长期供应协议（LTA）为中心优先分配货源，现货市场和普通客户能获得的货量也受到限制。据估计，三星电子的DRAM库存截至本月已降至不足10天，达到历史低点水平。

因此，通用DRAM价格的上涨趋势预计将持续。KB证券预计，第三季度和第四季度通用DRAM价格将实现两位数涨幅，并超过市场预期。其判断认为，目前已形成一种结构，即即使新增产能增加，也难以跟上需求增长的速度。

三星电子HBM4的销售额增长速度预计也将加快。预计第三季度HBM4销售额将比上一季度增长3倍以上，下半年HBM4将占HBM总销售额的60%以上。 随着明年HBM4E量产规模的扩大，HBM4的营收占比预计将从今年的40%增至明年的80%，翻一番。据此，KB证券预测，明年的HBM4营收也将比今年增长两倍以上。