[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 中国创新存储科技（CXMT）继DRAM之后，正积极推进进军NAND闪存市场，这引发了“鸡同鸭讲”式竞争的警报。如果现有厂商的NAND产能扩充加上中国企业的产能攻势，可能会重演过去那种恶性竞争。

据路透社等媒体21日报道，CXMT正推进在北京新工厂建设NAND研发（R&D）生产线并设立相关研究机构的计划。据悉，该公司已开始与人工智能和超级计算存储设备厂商等潜在客户就产品供应事宜进行磋商。虽然目前仍处于研发阶段，但这被解读为一直专注于DRAM业务的CXMT正试图将业务领域扩展至NAND。

中国最大的NAND厂商长江存储（YMTC）的追赶势头也愈发强劲。据Counterpoint Research数据显示，YMTC的全球NAND销售额市场份额从去年第二季度的11%上升至今年第二季度的14%，增长了3个百分点。 同期，三星电子的市场份额从31%降至28%，SK海力士从20%降至19%。截至今年第二季度，美光（15%）、铠侠（14%）、闪迪（11%）等多家企业均占据两位数的市场份额，其竞争格局较DRAM更为分散。

现有厂商扩大投资的势头仍在持续。日本铠侠上月已着手为北上工厂建设生产尖端三维（3D）NAND的新厂（Fab3）进行场地平整工作，目标是在2029财年投产。据外媒报道，SK海力士也正通过其美国子公司Solidigm，考虑在当地建设新的NAND生产工厂。

问题在于，与由三星电子、SK海力士、美光垄断的DRAM市场相比，NAND市场的竞争对手更多。尽管目前受人工智能数据中心投资带动，NAND需求强劲，但若未来新增产能集中涌入市场，供需平衡可能迅速动摇。

NAND市场过去曾有过因多方同时增产导致价格暴跌的先例。2000年代中期，海力士、美光、英特尔等企业纷纷进入NAND市场，加上三星电子和东芝也扩大了产能，导致供应竞争加剧。此后又叠加需求放缓，2008年NAND平均销售价格（ASP）较上年暴跌63%。 当时，各厂商的盈利能力恶化到不得不采取产量调控的程度，NAND市场也经历了与DRAM“鸡同鸭讲”游戏类似的后遗症。

对于技术追赶的警惕性也很高。一位业内人士表示：“DRAM需要极紫外光（EUV）工艺，高带宽内存（HBM）甚至要求堆叠技术，而NAND的技术差距相对较小”，并指出：“部分设备可在DRAM和NAND中共同使用，因此CXMT进军NAND领域本身并非不可能。”

业内也有观点认为，韩国企业与中国在NAND技术上的差距通常在1至2年左右。鉴于中国企业正在迅速扩大产能，有分析指出，与其在通用产品领域展开价格和成本竞争，不如在中国的产能追赶全面展开之前，先在高附加值市场拉开差距更为重要。

另一位业界人士表示：“与其与中国在成本上竞争，最终转向高附加值产品更为重要”，并指出：“需要进行各种尝试，以开发高带宽闪存（HBF）等新架构。”