[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 为应对人工智能（AI）时代内存需求的增长，SK海力士将在龙仁和清州总计投资54万亿韩元，建设新的半导体工厂（晶圆厂）。龙仁将建设高带宽内存（HBM）等下一代DRAM生产基地，清州则将建设NAND生产基地，以满足AI数据中心用企业级固态硬盘（eSSD）的需求。

SK海力士7日召开董事会，宣布决定分别向京畿道龙仁半导体产业集群的第二座晶圆厂“Y2”以及忠清北道清州的新建晶圆厂“M17”投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元。

此次投资是继今年6月公布的中长期投资战略之后的后续举措。SK海力士计划向龙仁半导体产业集群投入600兆韩元，向清州生产基地扩建项目投入100兆韩元。目前，龙仁的第一座晶圆厂Y1正在建设中。

据市场调研机构Omdia预测，从去年到2030年，全球DRAM和NAND需求预计将分别以年均19%的速度增长。SK海力士认为，随着人工智能从学习阶段向推理、代理型及物理型AI领域扩展，内存正逐渐成为决定AI性能的核心基础设施。

龙仁Y2是龙仁半导体集群中将建成共4座晶圆厂的第二座生产设施。该项目总建筑面积达34.1万坪，计划于明年7月动工，并于2029年6月启用首个洁净室。该厂将生产包括HBM在内的下一代DRAM，投资将分阶段进行，直至2031年10月。

SK海力士将原定于2045年完工的龙仁半导体集群建设时间提前了12年至2033年，计划届时完成全部4座晶圆厂的建设。Y1工厂目前正在施工中，目标是明年2月启用首个洁净室。Y2投产所需的第一阶段电力和用水基础设施，目前工程进度已达99%。

清州M17是一座总建筑面积达20万6000平的NAND生产设施，将于明年2月动工。首个洁净室预计于2028年12月投入使用，投资将持续至2031年4月。 据介绍，该项目可与现有的NAND生产设施M11、M12、M15实现联动，且用地及电力、用水基础设施已具备，因此能够快速推进建设。

随着AI服务的普及，eSSD需求不断增长；加之AI推理过程中用于存储先前运算结果的“KV缓存”需求也在增加，NAND的应用范围正日益扩大。SK海力士计划先建设工厂，而洁净室的扩建和设备的投入将根据客户需求分阶段进行。

SK海力士相关人士表示：“此次投资是为了顺应市场增长速度、不失良机而做出的决定”，并称“将通过提前确保生产基础，为全球AI半导体供应链的稳定做出贡献”。