[E-DailyPARK MIN 记者] 作为韩国股市双巨头，SamsungElectronics(005930)和SK hynix(000660)在为使KOSPI指数稳居7000点关口而展开的拉锯战中，随着“Boxpi”（箱体区间+KOSPI）的突破，正为趋势反弹注入动力。与上月表现疲软不同，本月以来，市场成功消化了美国加息及全球人工智能（AI）“降温论”等强劲外部冲击，呈现出逐步抬高底部的高点走势。 虽然有观点指出“内存价格上涨势头放缓”是制约股价上行的因素，但证券界分析认为，鉴于估值底部已得到确认，从分批买入（增加持仓比例）的角度切入反而更为有利。
◇ 摆脱8月跌势，9月稳居反弹格局
据韩国交易所23日数据显示，SK海力士本月初从160万韩元后半区间起步，当日盘中一度升至191万韩元，最终以186.2万韩元收盘，迄今累计上涨11.23%。 与此前8月单月下跌2.56%（从171万8000韩元跌至167万4000韩元）相比，本月市场氛围已发生明显转变。 三星电子的股价在8月整月也从26万2500韩元小幅回落至26万韩元，跌幅为0.95%，呈现微跌态势，但仅本月就上涨了9.80%（从26万韩元升至28万5500韩元）。
证券界普遍认为，虽然现在断言9月份的反弹趋势已“完全进入大势上涨阶段”为时尚早，但各方均认同股价已确认底部。 NH投资证券分析师罗正焕指出：“韩国股市在7月和8月经历了剧烈调整，KOSPI指数的12个月前瞻市盈率（PER）已降至5.5倍的历史最低水平”，并分析称：“这并非业绩受损，而是市场对业绩的模糊疑虑压制了股价。”
实际上，三星电子和SK海力士的估值远低于全球大型科技企业的平均水平。目前证券界预估的SK海力士12个月前瞻市盈率在3倍中段至5倍初段水平，三星电子的市盈率也仅在4倍左右。 与全球半导体及科技巨头平均市盈率在15至25倍左右交易的情况相比，当前估值明显被低估。
KB证券研究本部部长金东元强调：“尽管对AI开发速度的担忧加剧，但AI基础设施投资和内存订单却呈现出增长趋势”，并表示“当前股价与基本面之间的背离正在扩大，正是为未来反弹做准备的时机”。
◇关注“因HBM集中导致供应短缺”
有观点指出，由于创信存储（CXMT）、扬子江存储（YMTC）等中国半导体企业竞相扩建产能并争夺市场份额，通用内存价格可能面临更大的下行压力。 此外，由于客户对价格的抵触导致短期涨势放缓，加之市场对2028年可能出现“峰值过顶”（即价格达到顶点并回落）的预期，外界仍普遍担忧这可能限制三星电子和SK海力士股价的上涨空间。
不过，证券业界强调，应关注“周期性的结构性变化”，而非短期价格波动。元大证券分析师李在元表示：“当前内存周期的核心在于供需逻辑，即供应不足和长期合同能将高利润维持多久，而非短期价格涨幅。”
元大证券分析师白吉贤也表示：“考虑到高带宽内存（HBM）对通用DRAM产能的蚕食，以及AI推理普及带来的高容量内存需求，供应瓶颈的缓解时间很可能比预期要晚得多”，并于当日将三星电子的目标股价上调至63万韩元。
此外，许多分析认为，随着HBM在整体DRAM产能中的占比不断扩大，现有通用产品的生产余力将随之减少——这种所谓的“HBM扩产悖论”将加剧DRAM的结构性供应短缺。据此，有预测认为下半年通用DRAM价格也将录得两位数的涨幅，并超出市场预期。
金东元部门负责人表示 表示：“三星电子通用DRAM产能占比预计将持续缩减，2025年为73%，2026年为65%，2027年为59%”，并指出：“随着以HBM为中心的生产转型加速，通用DRAM的供应限制势必加剧，因此到2027年，结构性供应短缺将长期化。”
SK海力士同样预计，随着HBM4正式出货以及科技巨头定制半导体（ASIC）需求的扩大，在业绩得到验证的同时，股价也将呈现趋势性反弹。未来资产证券分析师金永建解释道：“AMD MI455X、英伟达Rubin、Meta MTIA等主要科技巨头的下一代加速器及自有ASIC领域，对HBM4装载量及带宽升级的需求正在急剧增长。” DB证券分析师徐承妍也预测：“从第三季度开始，HBM4将正式出货，2027年HBM4售价涨幅将达到同比70%。”
最终，业界普遍建议，与其受短期价格波动或中国厂商进入传统市场的担忧所影响，不如聚焦于超大规模科技企业对AI基础设施投资的持续性，以及以5年以上长期合同（LTA）为中心的需求可见性。 大信证券分析师柳亨根强调：“现在是关注周期进一步延长的时机”，“鉴于半导体技术竞争力正在同步增强，对股票的投资态度需要更加积极。”
警方就“绩效奖金不可协商”一事，对股东团体“三星尼克斯”代表提起的控告展开调查
◇ 摆脱8月跌势，9月稳居反弹格局
据韩国交易所23日数据显示，SK海力士本月初从160万韩元后半区间起步，当日盘中一度升至191万韩元，最终以186.2万韩元收盘，迄今累计上涨11.23%。 与此前8月单月下跌2.56%（从171万8000韩元跌至167万4000韩元）相比，本月市场氛围已发生明显转变。 三星电子的股价在8月整月也从26万2500韩元小幅回落至26万韩元，跌幅为0.95%，呈现微跌态势，但仅本月就上涨了9.80%（从26万韩元升至28万5500韩元）。
证券界普遍认为，虽然现在断言9月份的反弹趋势已“完全进入大势上涨阶段”为时尚早，但各方均认同股价已确认底部。 NH投资证券分析师罗正焕指出：“韩国股市在7月和8月经历了剧烈调整，KOSPI指数的12个月前瞻市盈率（PER）已降至5.5倍的历史最低水平”，并分析称：“这并非业绩受损，而是市场对业绩的模糊疑虑压制了股价。”
实际上，三星电子和SK海力士的估值远低于全球大型科技企业的平均水平。目前证券界预估的SK海力士12个月前瞻市盈率在3倍中段至5倍初段水平，三星电子的市盈率也仅在4倍左右。 与全球半导体及科技巨头平均市盈率在15至25倍左右交易的情况相比，当前估值明显被低估。
KB证券研究本部部长金东元强调：“尽管对AI开发速度的担忧加剧，但AI基础设施投资和内存订单却呈现出增长趋势”，并表示“当前股价与基本面之间的背离正在扩大，正是为未来反弹做准备的时机”。
◇关注“因HBM集中导致供应短缺”
有观点指出，由于创信存储（CXMT）、扬子江存储（YMTC）等中国半导体企业竞相扩建产能并争夺市场份额，通用内存价格可能面临更大的下行压力。 此外，由于客户对价格的抵触导致短期涨势放缓，加之市场对2028年可能出现“峰值过顶”（即价格达到顶点并回落）的预期，外界仍普遍担忧这可能限制三星电子和SK海力士股价的上涨空间。
不过，证券业界强调，应关注“周期性的结构性变化”，而非短期价格波动。元大证券分析师李在元表示：“当前内存周期的核心在于供需逻辑，即供应不足和长期合同能将高利润维持多久，而非短期价格涨幅。”
元大证券分析师白吉贤也表示：“考虑到高带宽内存（HBM）对通用DRAM产能的蚕食，以及AI推理普及带来的高容量内存需求，供应瓶颈的缓解时间很可能比预期要晚得多”，并于当日将三星电子的目标股价上调至63万韩元。
此外，许多分析认为，随着HBM在整体DRAM产能中的占比不断扩大，现有通用产品的生产余力将随之减少——这种所谓的“HBM扩产悖论”将加剧DRAM的结构性供应短缺。据此，有预测认为下半年通用DRAM价格也将录得两位数的涨幅，并超出市场预期。
金东元部门负责人表示 表示：“三星电子通用DRAM产能占比预计将持续缩减，2025年为73%，2026年为65%，2027年为59%”，并指出：“随着以HBM为中心的生产转型加速，通用DRAM的供应限制势必加剧，因此到2027年，结构性供应短缺将长期化。”
SK海力士同样预计，随着HBM4正式出货以及科技巨头定制半导体（ASIC）需求的扩大，在业绩得到验证的同时，股价也将呈现趋势性反弹。未来资产证券分析师金永建解释道：“AMD MI455X、英伟达Rubin、Meta MTIA等主要科技巨头的下一代加速器及自有ASIC领域，对HBM4装载量及带宽升级的需求正在急剧增长。” DB证券分析师徐承妍也预测：“从第三季度开始，HBM4将正式出货，2027年HBM4售价涨幅将达到同比70%。”
最终，业界普遍建议，与其受短期价格波动或中国厂商进入传统市场的担忧所影响，不如聚焦于超大规模科技企业对AI基础设施投资的持续性，以及以5年以上长期合同（LTA）为中心的需求可见性。 大信证券分析师柳亨根强调：“现在是关注周期进一步延长的时机”，“鉴于半导体技术竞争力正在同步增强，对股票的投资态度需要更加积极。”
