[E-DailyChoi Oh-hyun 记者] 中国存储半导体企业创信存储科技（CXMT）预告将应用新一代服务器用DRAM技术“4F²（Four-F-Square）”之际，三星电子也表示正在开发该技术。
17日，在首尔江南区COEX举行的第28届半导体博览会上，三星电子首席技术官（CTO）宋在赫与改革新党议员李俊锡正在参观三星电子展位（照片来源：Choi Oh-hyun 记者）
三星电子首席技术官（CTO）宋在赫总裁14日在首尔江南区COEX举行的“第28届半导体博览会”（SEDEX 2026）上，针对“三星电子是否也在开发4F²技术”的提问，回答道：“是的。”
随后，针对“技术开发准备得如何”的提问，他表示：“正在全力以赴。”但未提及具体的开发进展或量产计划。
4F²是表示单个DRAM存储单元所占面积的单位，是一种能够将存储单元面积较现有6F²结构缩减约三分之一的下一代技术。据评估，该技术可在相同面积内集成更多存储单元，从而提高生产效率和成本竞争力。
此前据中国官方媒体报道，CXMT首席执行官（CEO）赵干伟在9日至10日于中国上海举行的第四届集成电路及芯片级封装大会上表示，已在实现4F²架构方面取得关键进展，并宣布将于年内推出采用该技术的服务器用DDR5模块（RDIMM）产品。
受此影响，市场担忧中国存储半导体企业的技术追赶步伐可能会加快，导致13日三星电子和SK海力士的股价分别暴跌7.39%和10.09%。
三星电子和SK海力士也早已开始研究4F²技术。去年，SK海力士就曾公布过4F²技术的开发路线图。 SK海力士未来技术研究院院长（CTO）车善勇去年6月在“IEEE VLSI Symposium 2025”的主题演讲中表示：“在10纳米以下工艺节点，我们将基于结构、材料及组件的创新，积极推进4F² VG平台和3D DRAM技术，以突破技术瓶颈。”
在受美国对华出口管制影响、CXMT无法获得ASML极紫外（EUV）光刻设备的情况下，这可谓是CXMT找到的突破性技术。特别是业内普遍认为，要提高作为半导体产业命脉的良率将十分困难。也有评价认为，对于CXMT追赶韩国半导体技术的担忧被夸大了。
三星电子首席技术官（CTO）宋在赫总裁14日在首尔江南区COEX举行的“第28届半导体博览会”（SEDEX 2026）上，针对“三星电子是否也在开发4F²技术”的提问，回答道：“是的。”
随后，针对“技术开发准备得如何”的提问，他表示：“正在全力以赴。”但未提及具体的开发进展或量产计划。
4F²是表示单个DRAM存储单元所占面积的单位，是一种能够将存储单元面积较现有6F²结构缩减约三分之一的下一代技术。据评估，该技术可在相同面积内集成更多存储单元，从而提高生产效率和成本竞争力。
此前据中国官方媒体报道，CXMT首席执行官（CEO）赵干伟在9日至10日于中国上海举行的第四届集成电路及芯片级封装大会上表示，已在实现4F²架构方面取得关键进展，并宣布将于年内推出采用该技术的服务器用DDR5模块（RDIMM）产品。
受此影响，市场担忧中国存储半导体企业的技术追赶步伐可能会加快，导致13日三星电子和SK海力士的股价分别暴跌7.39%和10.09%。
三星电子和SK海力士也早已开始研究4F²技术。去年，SK海力士就曾公布过4F²技术的开发路线图。 SK海力士未来技术研究院院长（CTO）车善勇去年6月在“IEEE VLSI Symposium 2025”的主题演讲中表示：“在10纳米以下工艺节点，我们将基于结构、材料及组件的创新，积极推进4F² VG平台和3D DRAM技术，以突破技术瓶颈。”
在受美国对华出口管制影响、CXMT无法获得ASML极紫外（EUV）光刻设备的情况下，这可谓是CXMT找到的突破性技术。特别是业内普遍认为，要提高作为半导体产业命脉的良率将十分困难。也有评价认为，对于CXMT追赶韩国半导体技术的担忧被夸大了。
