[E-DailySOYEON KIM 记者] 三星电子和SK海力士将参与全球最大规模的半导体研发（R&D）合作基地。该基地由全球半导体设备制造商应用材料公司（AMAT）在美国建立，台积电、英特尔和美光等主要半导体企业也已加入。 随着人工智能（AI）半导体性能不断提升，制造工艺日益复杂，半导体企业与设备厂商计划从开发初期就开始合作，以加快下一代技术的商业化进程。

据13日业界消息，AMAT于12日（当地时间）在美国加利福尼亚州桑尼维尔市正式揭幕了总投资达50亿美元（约合6.6万亿韩元）的“EPIC中心”。这是全球规模最大的用于半导体工艺技术与制造设备联合研发的设施。

EPIC中心的最大特点在于，能够在一个空间内完成从半导体技术开发到量产的整个过程。此前，半导体材料研究、设备与工艺开发以及试生产分别在不同的环境中进行。EPIC中心致力于让材料研究人员、设备开发人员和半导体制造商的工程师共同协作，从而减少各开发阶段所需的时间和流程。

三星电子和SK海力士将与台积电、英特尔、美光共同作为Epic Center的创始合作伙伴参与其中。博通、Advantest、Screen、铠侠、Vesi等半导体相关企业也作为创新合作伙伴加入。 斯坦福大学、加州大学伯克利分校、加州大学洛杉矶分校等主要高校也将参与联合研究。各企业计划投入自身的技术研发项目和工程师，与AMAT展开合作。

三星电子计划依托涵盖存储、先进逻辑和先进封装的技术实力，加强与AMAT的合作。 三星电子半导体（DS）事业部首席技术官（CTO）宋在赫总裁强调：“三星电子正依托涵盖存储、先进逻辑和先进封装的技术实力，推动AI时代计算技术的发展”，并表示“通过EPIC，我们将进一步加速从创新技术开发到优化、再到实际应用的全过程。”

SK海力士代表董事兼总裁郭诺正表示：“AI计算的核心课题在于，如何以足够快的速度传输数据，使日益强大的处理器能够发挥最大性能。”他补充道：“SK海力士将通过与AMAT的合作，应对高带宽内存（HBM）、DRAM和NAND全领域的主要技术转折点。”

台积电（TSMC）和英特尔（Intel）也正着手确保下一代半导体制造技术。台积电将合作开发2纳米（nm·10亿分之1米）及以后工艺所需的新型半导体结构、低电阻布线以及先进封装技术。 台积电董事长兼首席执行官魏哲家期待能尽早掌握下一代半导体设备技术并开发先进封装等技术；美光董事长兼首席执行官桑杰·梅罗特拉也预测，这将有助于加速从下一代存储技术研究到大规模量产的过渡。英特尔则将推进下一代晶体管、互连技术及先进封装领域的研发。

AMAT董事长兼首席执行官（CEO）加里·迪克森强调：“随着AI基础设施的扩展，高性能计算的需求给整个半导体制造技术开发路线图带来了前所未有的复杂性”，并表示“必须重新设计合作模式，以推动下一代半导体技术的开发和商业化”。该构想旨在让全球顶尖的芯片制造商、系统设计商、设备合作伙伴及研究人员在EPIC平台上通力合作，共同推动AI创新。