[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 中国最大的DRAM厂商创信存储（CXMT）将于今年内推出采用新一代单元结构“4F²”的服务器用DRAM。该公司将业务领域从家电和移动设备用产品扩展至由三星电子和SK海力士等主导的服务器内存市场。

中国最大的DRAM厂商创信存储（CXMT）将于今年内推出采用新一代单元结构“4F²”的服务器级DRAM。该公司将业务范围从家电和移动设备产品领域扩展至由三星电子和SK海力士等主导的服务器内存市场。

据12日中国当地媒体等报道，创信存储总裁赵干伟近日在上海举行的第四届集成电路及芯片级封装大会上表示，将在年底前推出采用4F²结构的服务器级DDR5内存模块（RDIMM）。

4F²是一种用于缩小DRAM中数据存储最小单位——存储单元（cell）面积的技术。假设半导体制造工艺中可实现的最小线宽为“F”，则意味着将单个存储单元的面积设计为F平方的4倍。

与目前DRAM行业主流的6F²结构相比，该技术可将存储单元面积缩减约33%。由于能在相同尺寸的芯片上布置更多存储单元，因此有利于提高内存集成度。

CXMT解释称，该公司利用自主研发的垂直环绕栅极（VSG）晶体管实现了4F²结构。通过栅极环绕垂直沟道的方式，既降低了漏电流，又提升了电流控制性能和集成度。CXMT还表示，其持有大量与4F²结构相关的专利。

首款应用该技术的产品是服务器用DDR5 RDIMM。RDIMM是一种支持服务器稳定处理海量数据的内存模块。与消费类产品相比，它对错误校正和长时间运行稳定性等更高水平的可靠性要求更为严格。

CXMT此前一直以应用于家电和移动设备的DRAM为核心开展业务。公司计划以此次产品发布为契机，将产品线扩展至由三星电子、SK海力士和美国美光主导的服务器用DRAM市场。

三星电子和SK海力士为克服DRAM微缩技术的局限，也在开发4F²或类似的下一代单元结构。SK海力士已于去年公布了4F²技术路线图，据称三星电子也在推进将该结构应用于10纳米（nm）以下下一代DRAM工艺的方案。

CXMT于今年7月通过首次公开募股（IPO）筹集了最高666.1亿元人民币（约合13.2万亿韩元）后，正在扩大对尖端DRAM的投资。今年8月，该公司正式宣布量产新一代移动DRAM——LPDDR6；9月又宣布已开始量产第五代DRAM工艺。