[E-DailySOYEON KIM 记者] 三星电子今年第三季度暂录得107.4万亿韩元的营业利润,其中仅半导体部门就预计实现了高达110万亿韩元的利润。分析认为,尽管受韩元急剧升值影响,经营环境不利,但高于行业平均水平的内存销售价格上涨趋势仍推动了盈利能力的提升。
特别是从今年下半年开始正式量产的第六代高带宽内存(HBM)——HBM4,正成为明年业绩增长的核心动力。兼具内存和代工能力的三星电子在扩大HBM4供应的同时,以高附加值产品为核心的盈利能力改善步伐预计也将加快。
◇ 首家实现1000亿美元营收的半导体企业
8日,三星电子公告称,按合并报表标准,今年第三季度营业利润暂计为107.4万亿韩元。这一数字较上年同期增长782.50%,较上一季度增长20.01%。销售额达195万亿韩元,较上年同期增长126.59%。
凭借此次业绩,三星电子成为半导体行业首家季度营收突破1000亿美元的企业。 这也是韩国企业首次实现季度营业利润突破100兆韩元。即便放眼苹果和英伟达等全球科技巨头,这一纪录也堪称史无前例。此前,沙特阿拉伯国有石油企业阿美曾在2022年第二季度,因俄乌战争导致国际油价飙升,创下865亿美元(约合116兆韩元)的营业利润。
(图片来源:E-Daily记者金泰亨)
证券界估计,三星电子第三季度营业利润中,半导体(DS)部门约贡献了110兆韩元。分析认为,随着DRAM和NAND闪存价格上涨带来的营业杠杆效应达到最大化,内存业务的高收益结构进一步得到强化。
美瑞证券分析师金善宇表示:“预计DS部门实现营业利润110万亿韩元,其中存储业务贡献了111.9万亿韩元,”并补充道:“非存储业务——系统LSI和代工业务预计将出现1.9万亿韩元的亏损。”
他进一步评价道:“三星电子作为行业领军企业,凭借过去多次经历行业周期所积累的定价权,在DRAM和NAND价格方面持续展现出相较于竞争对手的领导地位。”
◇ 仅存储业务就实现111.9兆营业利润……MX部门亏损扩大
在半导体部门内部,各业务板块的业绩表现也呈现出两极分化。内存业务创下历史最高利润,而系统LSI和代工等非内存业务则预计继续亏损。非内存业务部门预计将录得约1万亿韩元的亏损。
虽然在增强存储器竞争力的过程中,代工产能利用率也在改善,但据分析,美国得克萨斯州泰勒工厂投产带来的初期成本负担等因素可能影响了盈利能力。
负责成品的设备体验(DX)部门,据推测也因零部件价格暴涨带来的成本压力,连续两个季度出现亏损。证券界估计,移动体验(MX)和网络事业部可能产生了1.5万亿至1.8万亿韩元的营业亏损。 影像显示(VD)和生活家电(DA)事业部也有可能录得约5000亿韩元的亏损。
据估算,三星显示器实现了约1万亿韩元的营业利润,哈曼则实现了2000亿至4000亿韩元的营业利润。
三星电子的HBM4产品(图片来源:三星电子)
特别是,鉴于三星电子同时具备存储器和代工能力,预计将从HBM4市场的扩大中受益。分析认为,HBM4不仅对存储器性能要求高,而且用于基础芯片逻辑应用的设计与制造技术也至关重要,因此这两大业务之间的协同效应将转化为竞争优势。
随着以HBM4为代表的高附加值内存产品销售占比提升,盈利能力有望进一步改善。市场调研机构TrendForce预测,明年HBM的平均销售价格(ASP)将较今年上涨121%,这一涨幅超过今年水平的两倍。
通用内存的价格上涨趋势也在持续。TrendForce预测,今年第四季度DRAM合约价格将较上一季度上涨10%至15%,NAND闪存将上涨15%至20%。随着HBM供应扩大与通用内存价格上涨相互叠加,市场普遍认为三星电子的半导体盈利能力明年也将维持在较高水平。
一位业内人士表示:“明年在存储器行业中,HBM4将发挥非常重要的作用”,并指出:“如果说今年通用DRAM价格飙升,那么明年随着HBM价格的飙升,存储器行业的增长动力将集中于HBM。”
特别是从今年下半年开始正式量产的第六代高带宽内存(HBM)——HBM4,正成为明年业绩增长的核心动力。兼具内存和代工能力的三星电子在扩大HBM4供应的同时,以高附加值产品为核心的盈利能力改善步伐预计也将加快。
◇ 首家实现1000亿美元营收的半导体企业
8日,三星电子公告称,按合并报表标准,今年第三季度营业利润暂计为107.4万亿韩元。这一数字较上年同期增长782.50%,较上一季度增长20.01%。销售额达195万亿韩元,较上年同期增长126.59%。
凭借此次业绩,三星电子成为半导体行业首家季度营收突破1000亿美元的企业。 这也是韩国企业首次实现季度营业利润突破100兆韩元。即便放眼苹果和英伟达等全球科技巨头,这一纪录也堪称史无前例。此前,沙特阿拉伯国有石油企业阿美曾在2022年第二季度,因俄乌战争导致国际油价飙升,创下865亿美元(约合116兆韩元)的营业利润。
证券界估计,三星电子第三季度营业利润中,半导体(DS)部门约贡献了110兆韩元。分析认为,随着DRAM和NAND闪存价格上涨带来的营业杠杆效应达到最大化,内存业务的高收益结构进一步得到强化。
美瑞证券分析师金善宇表示:“预计DS部门实现营业利润110万亿韩元,其中存储业务贡献了111.9万亿韩元,”并补充道:“非存储业务——系统LSI和代工业务预计将出现1.9万亿韩元的亏损。”
他进一步评价道:“三星电子作为行业领军企业,凭借过去多次经历行业周期所积累的定价权,在DRAM和NAND价格方面持续展现出相较于竞争对手的领导地位。”
◇ 仅存储业务就实现111.9兆营业利润……MX部门亏损扩大
在半导体部门内部,各业务板块的业绩表现也呈现出两极分化。内存业务创下历史最高利润,而系统LSI和代工等非内存业务则预计继续亏损。非内存业务部门预计将录得约1万亿韩元的亏损。
虽然在增强存储器竞争力的过程中,代工产能利用率也在改善,但据分析,美国得克萨斯州泰勒工厂投产带来的初期成本负担等因素可能影响了盈利能力。
负责成品的设备体验(DX)部门,据推测也因零部件价格暴涨带来的成本压力,连续两个季度出现亏损。证券界估计,移动体验(MX)和网络事业部可能产生了1.5万亿至1.8万亿韩元的营业亏损。 影像显示(VD)和生活家电(DA)事业部也有可能录得约5000亿韩元的亏损。
据估算,三星显示器实现了约1万亿韩元的营业利润,哈曼则实现了2000亿至4000亿韩元的营业利润。
◇ HBM4供应扩大全面展开……预计明年业绩将继续增长
预计三星电子的业绩增长势头将在明年延续。证券界预计,明年全年营业利润将达554.1万亿韩元,销售额将达957万亿韩元。这一规模较今年全年营业利润预期值369.7万亿韩元增长了约49.8%。
特别是,鉴于三星电子同时具备存储器和代工能力,预计将从HBM4市场的扩大中受益。分析认为,HBM4不仅对存储器性能要求高,而且用于基础芯片逻辑应用的设计与制造技术也至关重要,因此这两大业务之间的协同效应将转化为竞争优势。
随着以HBM4为代表的高附加值内存产品销售占比提升,盈利能力有望进一步改善。市场调研机构TrendForce预测,明年HBM的平均销售价格(ASP)将较今年上涨121%,这一涨幅超过今年水平的两倍。
通用内存的价格上涨趋势也在持续。TrendForce预测,今年第四季度DRAM合约价格将较上一季度上涨10%至15%,NAND闪存将上涨15%至20%。随着HBM供应扩大与通用内存价格上涨相互叠加,市场普遍认为三星电子的半导体盈利能力明年也将维持在较高水平。
一位业内人士表示:“明年在存储器行业中,HBM4将发挥非常重要的作用”,并指出:“如果说今年通用DRAM价格飙升,那么明年随着HBM价格的飙升,存储器行业的增长动力将集中于HBM。”