[E-DailyJAEMIN SONG 记者] 预计三星电子将成为韩国首家季度营业利润突破100万亿韩元的企业。 得益于人工智能（AI）需求扩大带来的存储半导体繁荣，继第二季度之后，该公司极有可能再次刷新历史最高业绩纪录。业界和市场的关注点已不再局限于“突破100万亿韩元”，而是转向以第六代高带宽内存（HBM4）为引领的增长势头能否在第四季度之后持续。

据金融信息公司FnGuide 5日报道，三星电子今年第三季度的营收和营业利润市场预期分别为200.7657万亿韩元和106.9435万亿韩元。 极有可能在短短一个季度内就超越第二季度的171.4995万亿韩元营收和89.4924万亿韩元营业利润。三星电子将于8日公布第三季度初步业绩。尽管近期韩元兑美元汇率走低导致部分证券公司下调了预期，但营业利润突破100万亿韩元的可能性依然被普遍看好。

业绩改善预计主要由半导体（DS）部门的存储器业务带动。 随着科技巨头扩大对AI数据中心的投资，不仅HBM，就连DDR5等服务器用DRAM和企业级固态硬盘（eSSD）的需求也十分强劲，加之供应短缺，导致内存价格维持在较高水平。分析认为，内存业务的高盈利能力抵消了代工、系统LSI以及电视、家电等其他业务的低迷。

特别是从本季度开始，HBM4对业绩的贡献预计将进一步加大。三星电子继今年上半年正式启动HBM4量产后，正迅速扩大产量。此前在第二季度业绩发布电话会议上，公司曾预测第三季度HBM4销售额将比上一季度增长3倍以上。 三星证券估计，第三季度HBM总营收将较上一季度增长约60%。高附加值的HBM4占比扩大，不仅会带来出货量增长，还将推动盈利能力提升。

关键在于第四季度及之后。HBM产量的扩大也正在影响通用DRAM的供应。三星电子最近预测，明年HBM将占整个行业DRAM晶圆产能的约30%。 这意味着其占比将从目前的约20%进一步上升；随着有限的生产能力更多地分配给HBM，用于服务器、PC和移动设备等领域的通用DRAM供应余力势必会减少。

实际上，内存价格的上涨势头预计也将持续。市场调研机构TrendForce预测，第四季度通用DRAM的合约价格将较上一季度上涨10%至15%，NAND闪存则将上涨15%至20%。 这是因为内存厂商优先将最先进工艺的生产能力分配给高利润的HBM和服务器用产品，导致以服务器DRAM为中心的供应短缺持续存在。对三星电子而言，HBM4销量的扩大与通用内存价格的上涨有望同时推动业绩增长。

美国美光科技近期公布的强劲财报也为内存行业景气度增添了动力。随着内存需求领域从AI训练扩展至推理和AI代理等领域，而短期内难以大幅增加供应，预计供应商主导的市场格局将持续。

IBK投资证券分析师金云浩表示：“内存供应短缺状况预计将长期持续”，并称“受此影响，盈利能力将维持在当前水平，利润规模将实现稳定增长。”